[发明专利]半导体存储装置及其驱动方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括存储单元单位和内部电压稳定装置，

其中，所述存储单元单位包括：

行译码器，被配置为对行地址信号进行译码并产生多个字线选择信号，

列译码器，被配置为对列地址信号进行译码并生成多个列选择信号，以及

存储单元阵列，包括连接在多个字线和多个位线之间的多个存储单元；和

内部电压稳定装置包括：

操作终止确定单元，被配置为基于外部输入电压确定半导体存储装置的操作是否终止，并当确定操作终止时输出操作终止命令，

终止电压生成单元，被配置为基于操作终止确定单元的操作终止的确定结果来生成具有预设电压值的终止电压，以及

开关单元，包括多个开关，所述多个开关响应于所述操作终止命令而导通，并且被配置为将从所述终止电压生成单元输入的所述终止电压提供给所述存储单元阵列的多个内部节点。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述终止电压生成单元根据输入于此的电压模式调节所述终止电压的值。

3.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述终止电压生成单元基于所述电压模式产生一个终止电压，并将所述一个终止电压输出到所述开关单元。

4.如权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述开关单元将所述一个终止电压提供给所述存储单元阵列的所述多个内部节点。

5.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述终止电压生成单元包括多个终止电压生成器，

终止电压包括具有由多个终止电压生成器产生的不同值的多个终止电压，以及

终止电压生成单元将由多个终止电压生成器产生的多个终止电压提供给不同的开关。

6.如权利要求5所述的半导体存储装置，其中，所述开关单元将所述多个终止电压提供给所述存储单元阵列的所述多个内部节点。

7.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述终止电压生成单元包括多个终止电压生成器，

其中多个终止电压生成器中的一些产生第一终止电压；

多个终止电压生成器中剩余的生成器产生第二终止电压；和

终止电压生成单元将第一终止电压和第二终止电压提供给不同的开关。

8.如权利要求7所述的半导体存储装置，其中，所述开关单元将所述第一终止电压提供给所述存储单元阵列的第一内部节点，并将所述第二终止电压提供给所述存储单元阵列的第二内部节点。

9.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中，终止电压生成单元将在半导体存储装置中产生的内部电压输出到开关单元作为终止电压。

10.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述终止电压生成单元被配置为：

在电压模式的基础上，选择在半导体存储装置中产生的多个内部电压中的一个内部电压；和

将所选择的一个内部电压输出到开关单元作为终止电压。

11.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述终止电压大于或等于-10V且小于或等于0V。

12.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述存储单元单位是动态随机存取存储器(DRAM)。

13.一种半导体存储装置，包括：

存储单元阵列，包括多个存储单元；

写路径单元，连接到存储单元阵列；

数据输入单元，连接到写路径单元；和

内部电压稳定装置，被配置为基于外部输入电压确定半导体存储装置的操作是否终止，当确定操作终止时产生具有预设电压值的终止电压，并提供终止电压到存储单元阵列的多个内部节点。