[发明专利]一种高功率半导体芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910395812.3 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110112650B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 谭少阳;王俊;徐红;闵大勇 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司;苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 215011 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种高功率半导体芯片，其特征在于，包括：
自下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、侧向光栅层、上限制层、接触层、电流隔离介质层以及金属层；其中，所述侧向光栅层包括多组侧向光栅，所述多组侧向光栅沿第一方向依次设置，所述多组侧向光栅的周期各不相同，每组侧向光栅包括多条光栅，所述多条光栅沿第二方向排布，所述第一方向与第二方向相交，所述第一方向为光辐射方向。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，各组所述侧向光栅的周期在第一方向递进排布或随机排布。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述电流隔离介质层及金属层限定形成电流注入区，所述侧向光栅层设置于所述电流注入区中。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，
所述半导体芯片的出光端面设置有抗反射镀膜层，高反射端面设置有高反射镀膜层。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述多组侧向光栅的周期分别为：
di＝2w/(m+i)；
其中di为周期，w为上波导层的宽度，m为光模式阶数，i为大于等于1的整数。
7.一种高功率半导体芯片的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上依次形成下限制层、下波导层、有源层、上波导层；
在所述上波导层上沿第一方向依次形成多组侧向光栅，所述多组侧向光栅的周期各不相同，每组侧向光栅的多条光栅沿第二方向排布，所述第一方向与第二方向相交，所述第一方向为光辐射方向；
在所述多组侧向光栅上依次形成上限制层、接触层、电流隔离介质层以及金属层。
8.根据权利要求7所述的半导体芯片的制备方法，其特征在于，在所述上波导层上沿第一方向依次形成多组侧向光栅，包括：
在所述上波导层上通过外延生长形成侧向光栅层；
在所述侧向光栅层上刻蚀形成光栅条纹。
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