[发明专利]一种硫属化合物Fe(tren)GaSbS4

说明书

本发明公开了一种硫属化合物Fe(tren)GaSbS₄及其合成方法，该硫属化合物具有磁性且为一维链状结构。本发明利用混合溶剂三(2‑氨基乙基)胺、乙二胺和H₂O合成含异主族金属Ga和Sb的硫属化合物Fe(tren)GaSbS₄，这种金属配阳离子[Fe(tren)]²⁺直接修饰在阴离子链[Ga₂Sb₂S₈]_n^2n‑上。这类化合物的合成在镓硫属化合物的合成中并不常见。这对于研究合成金属配阳离子直接修饰阴离子骨架结构的硫属化合物具有重要的指导意义。

技术领域

本发明涉及硫属化合物制备技术领域，特别是涉及一种Fe(tren)GaSbS₄的制备方法。

背景技术

有机胺作为空间填充剂、模板或结构导向剂，在硫属化合物的合成过程中起着重要的作用。有机-无机杂化镓硫系化合物在溶剂热条件下合成时一般采用非螯合有机胺作为结构导向剂，它们的结构通常以简单四面体GaQ₄(Q＝S、Se)或超四面体簇(Tn)为构建模型。在没有加入第二个金属离子的情况下，构建3-D的超四面体T₃[Ga₁₀S₂₀]^10-簇，例如：[C₄NH₁₂]₆[Ga₁₀S₁₈]、 [C₄NH₁₂]₁₂[Ga₂₀S_35.5(S₃)_0.5O]、UCR-18GaS-AEP和UCR-7GaSTETA。当引入二价金属离子的情况下，在三维框架中构建出T4[M₄Ga₁₆Q₃₅]^14-(M＝Zn,Co；Q＝S,Se) 簇。例如：[C₄NH₁₂]₁₆[Ga₁₀S₁₈M₄Ga₁₆S₃₃](M＝Co；Zn)，UCR-5ZnGaS-BAPP， UCR-19ZnGaS-TETA，和OCF-1ZnGaSe-TMDP，以及化合物 [CH₃NH₃]₄Ga₄SbS₉S_0.28O_0.72H在三维框架中构建出的T2簇{Ga₄S₉(QH)}。