[发明专利]半导体封装件在审
申请号: | 201910389722.3 | 申请日: | 2019-05-10 |
公开(公告)号: | CN110896061A | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 崔在薰;李斗焕;崔朱伶;韩成;金炳镐 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/485 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙丽妍;钱海洋 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:半导体芯片,包括钝化膜和保护膜,所述钝化膜设置在有效表面上并且具有使连接焊盘的至少一部分暴露的第一开口,所述保护膜设置在所述钝化膜上,填充所述第一开口中的至少一部分并且具有使所述连接焊盘的至少一部分在所述第一开口中暴露的第二开口;包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;以及连接结构,包括绝缘层、重新分布层以及连接过孔,所述绝缘层具有连接到所述第二开口的通路孔,以使所述连接焊盘的至少一部分暴露,所述连接过孔将所述连接焊盘连接到所述重新分布层同时填充所述通路孔和所述第二开口中的每个的至少一部分。所述第二开口和所述通路孔连接,以具有台阶部。
本申请要求于2018年9月13日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0109782号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种半导体封装件,例如,扇出型半导体封装件。
背景技术
涉及半导体芯片的技术开发的重大的近期趋势是减小半导体芯片的尺寸。因此,在封装技术领域,随着对小尺寸半导体芯片等的需求的迅速增长,需要实现在包括多个引脚的同时具有紧凑尺寸的半导体封装件。提出满足上述技术需求的一种封装技术是扇出型封装件。这种扇出型封装件具有紧凑的尺寸,并且可通过将连接端子重新分布到设置有半导体芯片的区域的外部来实现多个引脚。
另一方面,在半导体芯片的情况下,铝(Al)或者铜(Cu)被用作连接焊盘的材料。在这种情况下,在用于制造封装件的工艺中,半导体芯片的连接焊盘可能暴露于空气、水分、化学溶液等,这会导致腐蚀和损坏。
发明内容
本公开的一方面提供一种新颖的半导体封装结构,该半导体封装结构用于显著降低对半导体芯片的连接焊盘的腐蚀和损坏,并且改善连接过孔的可靠性并且减少抗蚀剂分布。
根据本公开的一方面,在对半导体芯片进行封装之前的芯片状态下,在具有使半导体芯片的连接焊盘暴露的开口的钝化膜上形成保护膜。此外,当在对半导体芯片进行封装的操作中通路孔形成在绝缘层中时,在保护膜中形成底切。
根据本公开的一方面,一种半导体封装件包括:半导体芯片,具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面并且包括钝化膜和保护膜,所述钝化膜设置在所述有效表面上并且具有使所述连接焊盘的至少一部分暴露的第一开口,并且所述保护膜设置在所述钝化膜上,填充所述第一开口中的至少一部分并且具有使所述连接焊盘的至少一部分在所述第一开口中暴露的第二开口;包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;以及连接结构,包括绝缘层、重新分布层以及连接过孔,所述绝缘层设置在所述保护膜上并且具有连接到所述第二开口的通路孔,以使所述连接焊盘的至少一部分暴露,所述重新分布层设置在所述绝缘层上,并且所述连接过孔将所述连接焊盘连接到所述重新分布层同时填充所述通路孔和所述第二开口中的每个的至少一部分。所述第二开口和所述通路孔连接,以具有台阶部。
根据本公开的另一方面,一种半导体封装件包括:半导体芯片,具有有效表面和无效表面,所述有效表面上设置有连接焊盘,所述无效表面与所述有效表面相对;包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;以及连接结构,包括绝缘层、重新分布层以及连接过孔,所述绝缘层设置在所述半导体芯片上,所述重新分布层设置在所述绝缘层上,并且所述连接过孔将所述连接焊盘连接到所述重新分布层。所述连接过孔具有这样的部分:该部分的宽度比所述连接过孔的与所述连接焊盘接触的最上部分的宽度以及所述连接过孔的与所述重新分布层接触的最下部分的宽度小。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述,本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解,在附图中:
图1是示意性地示出电子装置系统的示例的框图;
图2是示出电子装置的示例的示意性透视图;
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