[发明专利]半导体封装件在审
申请号: | 201910389722.3 | 申请日: | 2019-05-10 |
公开(公告)号: | CN110896061A | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 崔在薰;李斗焕;崔朱伶;韩成;金炳镐 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/485 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙丽妍;钱海洋 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
半导体芯片,具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面并且包括钝化膜和保护膜,所述钝化膜设置在所述有效表面上并且具有使所述连接焊盘的至少一部分暴露的第一开口,并且所述保护膜设置在所述钝化膜上,填充所述第一开口中的至少一部分并且具有使所述连接焊盘的至少一部分在所述第一开口中暴露的第二开口;
包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;以及
连接结构,包括绝缘层、重新分布层以及连接过孔,所述绝缘层设置在所述保护膜上并且具有连接到所述第二开口的通路孔,以使所述连接焊盘的至少一部分暴露,所述重新分布层设置在所述绝缘层上,并且所述连接过孔将所述连接焊盘连接到所述重新分布层同时填充所述通路孔和所述第二开口中的每个的至少一部分,
其中,所述第二开口和所述通路孔连接,以具有台阶部。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第二开口的壁表面朝向所述第一开口的壁表面凹陷,
凹陷区域设置在所述绝缘层与所述连接焊盘之间,并且
所述连接过孔填充所述凹陷区域的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述保护膜和所述绝缘层包括不同的材料。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,在所述第二开口和所述通路孔的连接点中,所述第二开口的宽度大于通路孔的宽度。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件,其中,所述第二开口和所述通路孔在相反的方向上逐渐变窄。
6.根据权利要求4所述的半导体封装件,其中,越靠近所述连接焊盘,所述第二开口的宽度越宽,并且
越靠近所述连接焊盘,所述通路孔的宽度越窄。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述连接焊盘的通过所述第一开口暴露的区域的除了通过所述第二开口暴露的区域之外的区域被所述保护膜覆盖。
8.根据权利要求7所述的半导体封装件,其中,所述绝缘层与所述连接焊盘物理地间隔开。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述钝化膜和所述保护膜设置在所述有效表面内的区域中。
10.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中,所述包封剂覆盖所述钝化膜和所述保护膜中的每个的侧表面。
11.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中,所述包封剂填充所述保护膜与所述绝缘层之间的部分。
12.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述保护膜的厚度薄于所述钝化膜的厚度。
13.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:具有通孔的框架,
其中,所述半导体芯片设置在所述通孔中,
所述包封剂覆盖所述框架的至少一部分,并且
所述包封剂填充所述通孔的至少一部分。
14.根据权利要求13所述的半导体封装件,其中,所述框架包括:第一绝缘层,与所述连接结构接触;第一布线层,与所述连接结构接触并嵌在所述第一绝缘层中;第二布线层,设置在所述第一绝缘层的与所述第一绝缘层的嵌有所述第一布线层的一侧相对的一侧上;第二绝缘层,覆盖所述第二布线层并且设置在所述第一绝缘层上;以及第三布线层,设置在所述第二绝缘层上,
所述第一布线层至所述第三布线层电连接到所述连接焊盘,并且
所述第一绝缘层的下表面与所述保护膜的最下表面共面。
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