[发明专利]OPC修正方法及OPC修正系统有效
申请号: | 201910385297.0 | 申请日: | 2019-05-09 |
公开(公告)号: | CN110058485B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 乔彦辉;李林;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | opc 修正 方法 系统 | ||
本发明提供了一种OPC修正方法及一种OPC修正系统,所述OPC修正方法包括:提供待修正的版图图形的集成电路版图以及亚分辨率辅助图形与待修正的版图图形之间的最小间距;选择待修正的版图图形中的若干个作为目标图形,目标图形之间具有冲突区;将目标图形的边界以所述最小间距往外放大形成膨胀层,冲突区透过膨胀层形成暴露区域;在暴露区域添加亚分辨率辅助图形。本发明提供的OPC修正系统包括:存储模块、选择模块、图形变换模块以及修正模块。本发明提供的OPC修正方法在目标图形的冲突区内限定一可以设置亚分辨率辅助图形的暴露区域,在所述暴露区域可以有效并准确地形成亚分辨率辅助图形而不会产生交集。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种OPC修正方法及一种OPC修正系统。
背景技术
随着半导体行业的发展,人们对芯片的性能与能耗要求越来越苛刻,要想获得更小面积、更高性能以及更低能耗的芯片,就需要进一步减小芯片上各图形大小及各图形之间的间距,间距的降低会导致版图上的某些图形之间的设计距离小于光波长度。因此需要在版图刻印在掩模版上之前对版图进行修正,防止在光刻过程中产生光学邻近效应(OpticalProximityEffect,OPE),避免刻印在芯片上的图形与设计不一致而产生图形失真。
为了避免光学邻近效应而对版图进行修正的技术为光学邻近修正(OpticalProximityCorrection,OPC)技术。亚分辨率辅助图形(Sub-resolutionAssist Feature,SRAF)是一种被较多采用的OPC方式。SRAF技术通过在版图的主图形附近添加亚分辨率辅助图形,使得孤立图形和稀疏图形也具有密集图形的特性,从而改善光强分布,提高成像质量。由于亚分辨率辅助图形的线宽较小,亚分辨率辅助图形处衍射光线的光强值小于基底(如硅片)上的光刻胶感光阈值,所以亚分辨率辅助图形不能成像,在版图中添加亚分辨率辅助图形后,可以在基底上形成原有线条的图形。通过SRAF技术对版图进行修正,可以有效提高光刻工艺的图形分辨率,增大工艺窗口,提高产品良率。
现有技术利用SRAF技术在版图的主图形附近添加亚分辨率辅助图形时,是基于OPC的一定规则添加亚分辨率辅助图形,但是在添加亚分辨率辅助图形时,常需要针对每一个需要修正的版图图形计算需要添加的辅助图形,计算过程复杂又耗时,特别是对于某些特殊环境下更是如此,例如,孔层版图中,对应于通孔的版图图形经常以若干个为一组且组与组之间相互孤立分布,每一组的若干个版图图形通常距离较近,从而,需要在这些版图图形之间的一个较小区域添加亚分辨率辅助图形时,若按照现有基于规则的SRAF技术添加辅助图形,则每个版图图形都会在这个较小区域内产生一个亚分辨率辅助图形。这些亚分辨率辅助图形相互之间具有交集,容易产生冲突且无法被简单合并,通常是需要基于一定的再调整规则并经过复杂的再调整以形成一个新的亚分辨率辅助图形。而在这个再调整的过程中,可能由于特殊环境下的版图图形分布不适合再调整规则而导致版图图形之间的较小区域内无法形成一个新的亚分辨率辅助图形,或者即使在所述较小区域形成了再调整后的亚分辨率辅助图形,也可能由于再调整规则无法兼顾每一个需要修正的版图图形,而导致经OPC修正后的光刻图形和版图设计之间存在较大偏差。虽然针对较小区域也可由人工在版图上添加辅助图形,但由于版图本身设计复杂,线条精细,人工添加难度高且非常耗时。
发明内容
本发明提供了一种OPC修正方法,以克服现有技术在进行OPC修正时,在某些版图图形之间的较小区域内难以有效、准确且简单地添加亚分辨率辅助图形的问题。本发明另外还提供了一种OPC修正系统。
根据本发明的一个方面,提供了一种OPC修正方法,所述OPC修正方法包括:
提供一集成电路版图,所述版图包括多个待修正的版图图形,待添加的亚分辨率辅助图形与所述待修正的版图图形之间具有一最小间距;
选择所述多个待修正的版图图形中的若干个作为目标图形,所述目标图形之间具有冲突区,在所述冲突区形成的所述目标图形的亚分辨率辅助图形之间具有交集;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910385297.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备