[发明专利]一种陶瓷衬底高频覆铜板的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910384406.7 申请日: 2019-05-09
公开(公告)号: CN110053331A 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 谭台哲;张永光;黄国宏;唐浩 申请(专利权)人: 河源广工大协同创新研究院
主分类号: B32B17/02 分类号: B32B17/02;B32B17/06;B32B15/14;B32B15/06;B32B27/12;B32B37/06;B32B37/10;B32B37/24
代理公司: 广州凯东知识产权代理有限公司 44259 代理人: 李俊康
地址: 517000 广东省河源市高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 高频覆铜板 制备 陶瓷衬 等离子喷涂工艺 等离子喷涂陶瓷 电磁屏蔽性能 等离子喷涂 合金中间层 耐冲击性能 陶瓷材料层 尺寸约束 高频板材 厚度可调 基板制备 加工性能 金属箔层 力学性能 耐热性能 制备过程 材料层 传统的 金属箔 基板 喷涂 样件 固化
【权利要求书】:

1.一种陶瓷衬底高频覆铜板的制备方法,包括以下步骤:

01.基板制备;

02.等离子喷涂陶瓷材料层:在基板表面进行均匀的等离子喷涂,等离子喷涂在基板表面形成陶瓷材料层,所述陶瓷材料层厚度为5-30μm;

03.金属箔层压固化:在上述制得的陶瓷材料层表面涂覆一层胶液,再在覆以金属箔,然后将其放入真空热压机进行热压复合,获得陶瓷衬底高频覆铜板。

2.如权利要求1所述的一种陶瓷衬底高频覆铜板的制备方法,其特征在于:步骤03中的等离子喷涂陶瓷材料层,喷涂电压为40-60V,电流为500-700A,等离子气体流量为30-50L/min,辅助气体流量为3-10L/min,送粉气体流量5-20g/min。

3.如权利要求2所述的一种陶瓷衬底高频覆铜板的制备方法,其特征在于:所述等离子气体为Ar气,所述辅助气体为H2

4.如权利要求1所述的一种陶瓷衬底高频覆铜板的制备方法,其特征在于:所述陶瓷材料层为Al2O3、TiC、TiN或Ti(C,N)中的一种或至少两种的复合。

5.如权利要求1所述的一种陶瓷衬底高频覆铜板的制备方法,其特征在于:所述等离子喷涂工艺的喷嘴与基板表面的距离为15cm。

6.如权利要求1所述的一种陶瓷衬底高频覆铜板的制备方法,其特征在于:所述热压复合工艺的热压温度为200-230℃,热压压力为22-32Kg/cm2,热压时间为60-120min。

7.如权利要求1所述的一种陶瓷衬底高频覆铜板的制备方法,其特征在于:所述金属箔厚度为8-80μm,所述金属箔为铜、黄铜、铝合金、镍合金中的任意一种或至少两种的复合。

8.如权利要求1所述的一种陶瓷衬底高频覆铜板的制备方法,其特征在于:所述基板制备具体包括以下步骤,

001.将基体树脂、交联剂、引发剂溶解在丙酮中,充分溶解;

002.加入填料,在室温下混合得到胶液;

003.使用玻纤布浸渍所述胶液,然后在150-170℃的烘箱中烘烤固化,得到基板。

9.如权利要求8所述的一种陶瓷衬底高频覆铜板的制备方法,其特征在于:所述基体树脂包括环氧树脂和杂奈联苯聚芳醚;所述交联剂为三聚氰酸三烯丙酯,所述填料为二氧化硅和氢氧化铝。

10.如权利要求9所述的一种陶瓷衬底高频覆铜板的制备方法,其特征在于:所述填料为粒径为300-600nm的二氧化硅和氢氧化铝,所述二氧化硅和氢氧化铝的比例为3:2。

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