[发明专利]多色膜的制备方法及显示面板

权利要求书

1.一种多色膜的制备方法，采用磁控溅射系统(10)实现所述制备方法，其特征在于，包括：

S10，提供至少一块磁体(201)和一块基板(101)，将至少一块所述磁体(201)固定设置于所述基板(101)的一面；

S20，将固定设置有至少一块所述磁体(201)的基板(101)固定于所述磁控溅射系统(10)中的样品台上，所述固定设置有至少一块所述磁体(201)的基板(101)的一面背向所述磁控溅射系统(10)中的靶台；

S30，提供至少一种靶材(310)，将所述靶材(310)固定设置于所述靶台，利用磁控溅射法在所述基板(101)上形成至少一层薄膜层(110)，所述薄膜层(110)的厚度无台阶渐变。

2.根据权利要求1所述的多色膜的制备方法,其特征在于，所述S30，提供至少一种靶材(310)，将所述靶材(310)固定设置于所述靶台，利用磁控溅射法在所述基板(101)上形成至少一层薄膜层的步骤包括：

提供第一靶材，将所述第一靶材固定设置于所述靶台；

开启所述磁控溅射系统(10)的中频电源，充入第一预设含量的氧气后，在第一预设溅射功率和第一预设溅射速度下，得到第一氧化薄膜层(102)。

3.根据权利要求2所述的多色膜的制备方法，其特征在于，所述S30，提供至少一种靶材(310)，将所述靶材(310)固定设置于所述靶台，利用磁控溅射法在所述基板(101)上形成至少一层薄膜层的步骤还包括：

在所述第一氧化薄膜层(102)的基础上，提供第二靶材，将所述第二靶材固定设置于所述靶台；

开启所述磁控溅射系统(10)的中频电源，充入第二预设含量的氧气后，在第二预设溅射功率和第二预设溅射速度下，得到第二氧化薄膜层(103)。

4.根据权利要求3所述的多色膜的制备方法，其特征在于，当所述第一靶材与所述第二靶材均为顺磁性材料或均为逆磁性材料时，所述第二氧化薄膜层(103)的厚度渐变规律与所述第一氧化薄膜层(102)的厚度渐变规律相同；

当所述第一靶材和所述第二靶材中的一个靶材为顺磁性材料，另一个靶材为逆磁性靶材时，所述第二氧化薄膜层(103)的厚度渐变规律与所述第一氧化薄膜层(102)的厚度渐变规律相反。

5.根据权利要求4所述的多色膜的制备方法，其特征在于，当所述磁体(201)为球磁体或点磁体，所述靶材为顺磁性材料时，所述薄膜层(110)的厚度渐变规律为由所述磁场的中心向四周无台阶变薄，以形成厚度无台阶渐变的所述薄膜层(110)；

当所述磁体(201)为球磁体或点磁体，所述靶材为逆磁性材料时，所述薄膜层(110)的厚度渐变规律为由所述磁体(201)形成的磁场中心向四周无台阶变厚，以形成厚度无台阶渐变的所述薄膜层(110)。

6.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板(101)，所述基板(101)为透明基板；以及

采用上述权利要求1-5中任一项所述多色膜的制备方法制备的多色膜，所述多色膜覆盖设置于所述透明基板的一面。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述多色膜包括：

第一氧化薄膜层(102)，所述第一氧化薄膜层(102)的厚度渐变范围为6nm-12nm。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述多色膜还包括：

第二氧化薄膜层(103)，所述第二氧化薄膜层(103)的厚度渐变范围为35nm-65nm。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一氧化薄膜层(102)为氧化钛层，所述第二氧化薄膜层(103)为氧化硅层，所述氧化钛层的厚度渐变范围为7nm-11nm，所述氧化硅层的厚度渐变范围为55nm-65nm。

10.根据权利要求6-9中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述基板(101)为玻璃基板或树脂基板中的一种。