[发明专利]磁场传感器装置有效
| 申请号: | 201910377513.7 | 申请日: | 2019-05-07 |
| 公开(公告)号: | CN110456289B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
| 发明(设计)人: | M·莫茨 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G01R33/07 | 分类号: | G01R33/07 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
| 地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁场 传感器 装置 | ||
本发明涉及一种磁场传感器装置(10)。根据实施例的磁场传感器装置在此具有线圈(15)和磁场传感器(17)。承载线圈(15)和磁场传感器(17)的芯片(13)布置在引线框(11)上。引线框具有凹槽(12)。
技术领域
本申请涉及一种磁场传感器装置。
背景技术
磁场传感器装置在很多应用中使用,以对磁场进行测量。这种类型的磁场传感器装置例如用于通过测量由电流产生的磁场或在其中要测量磁场的其他应用中间接测量电流。在一些应用中,希望测量高频带宽上的磁场,例如从静态磁场到频率高达100kHz或高达MHz范围的高频磁场。
为了制造这种类型的磁场传感器装置,可以在例如硅芯片的芯片上在半导体工艺中制造诸如霍尔传感器的磁场传感器和线圈。然后在一些制造过程中将这种芯片安装在引线框上,从而形成与外界的电连接。然而,在这种引线框中可能发生涡电流,该涡电流影响霍尔传感器和/或线圈的磁场测量。
发明内容
在此提供了根据权利要求1,6或16所述的磁场传感器装置。从属权利要求限定了另外的实施例以及具有这种磁场传感器装置的系统。
根据一个实施例,提供了一种磁场传感器装置,具有:
芯片,该芯片具有磁场传感器和线圈,以及
引线框,该引线框由导电材料制成,其中,引线框具有凹槽,
其中,线圈、磁场传感器和凹槽被布置成,使得在磁场传感器和凹槽在由线圈的线匝确定的平面中的正交投影情况中:
磁场传感器布置在由线圈的外线匝包围的表面内,
-磁场传感器的敏感表面的至少75%位于凹槽内,并且
-由线圈表面的外线匝包围的表面的至少25%位于凹槽内。
根据另一实施例,提供了一种磁场传感器装置,包括:
芯片,该芯片具有磁场传感器和线圈,其中,线圈和磁场传感器被布置成,
使得在磁场传感器在由线圈的线匝确定的平面的正交投影的情况中,磁场传感器的敏感表面位于由线圈的外线匝包围的表面内,以及
非导电载体,其中芯片安装在非导电载体上。
根据另一实施例,提供了一种磁场传感器装置,包括:
芯片,其中,该芯片具有线圈,和
引线框,该引线框由导电材料制成,其中,引线框具有凹槽,
其中,线圈和凹槽被布置成,
使得在凹槽在由线圈的线匝确定的平面的正交投影的情况中:
由线圈的外线匝包围的表面的至少25%位于凹槽内。
以上概述仅是一些实施例的一些特征的简要概述,而不应被解释为限制。
附图说明
图1A是根据实施例的磁场传感器装置的俯视图。
图1B是图1A的磁场传感器装置沿图1A的线A-A'的示意性截面图。
图1C是图1A和1B的磁场传感器装置的示意性透视图。
图1D是用于说明图1A-1C的实施例中的线圈表面的图示。
图2是根据另一实施例的磁场传感器装置的截面图。
图3是根据另一实施例的磁场传感器装置的截面图。
图4是根据另一实施例的磁场传感器装置的俯视图。
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