[发明专利]确定晶圆缺陷来源的方法

说明书

本发明提出了确定晶圆缺陷来源的方法，包括：获取多个晶圆的图像，所述多个晶圆来自于同一晶棒，并且所述多个晶圆的边缘上分别形成有定位点；将所述多个晶圆的图像进行立体化叠加处理，所述立体化叠加处理是基于所述定位点进行的，以便获得所述多个晶圆的叠加图像；在所述叠加图像上寻找缺陷，确定是否存在连续型缺陷，所述连续型缺陷出现在至少两个晶圆的相同位置上，其中，所述连续型缺陷的存在是所述缺陷来源于所述晶圆的制备工艺的指示。采用该方法可以更加方便和准确地监控各批次加工生产晶圆的缺陷问题，以便对晶圆制备工艺的优化提供参考。

技术领域

本发明属于晶圆检验技术领域，具体而言，本发明涉及确定晶圆缺陷来源的方法。

背景技术

如今半导体工业的发展迅速，市场需求量大幅升高，特别是大晶圆如直径为300/450㎜晶圆。为生产出的晶圆具有较高的良率，则晶圆缺陷检测的及时性和准确性就尤为重要。若能够通过某种方法来快速地找到工艺制程所存在的问题，则可能从根本上降低此类缺陷重复出现的几率。

在晶圆后续加工工序(如切割抛、热处理)中，因加工制程中受到污染或加工本身造成很多缺陷的产生，如线切割后形成的切痕(saw mark)、单/双面研磨由不均匀而形成的磨痕(grinding mark)、抛光后形成的凸起(bump)或缺陷(PID)、热处理后产生的位错滑移(slip)、在运输过程中因机械手造成的磨损或划痕等。上述的类型缺陷可能发生在晶圆各个位置，大多处在晶圆的边缘处。这些边缘处缺陷，往往会影响半导体下游芯片制造中叠加工序，致使芯片制造良率大幅降低。

对此，现采用的方法是通过多种检测设备来剔除有缺陷的晶圆，采用厚度仪、纳米形貌测量系统、显微镜、WT2000等仪器来分别测量其平坦度(flatness)、纳米形貌(NT)、表面缺陷、表面颗粒等。因为检测设备皆是单片检测，很难从单片晶圆存在缺陷监测其产生的原因。特别是那些具有边缘缺陷的晶圆仍符合客户规格，更难监测到其可能因加工制程不当而连续产生的问题。

目前采用的检测方法不能从根源上避免和消除缺陷的再次出现，需提出新的方法来监控批次生产晶圆的缺陷问题，以达到快速地找到工艺制程所存在的问题，及时地解决问题。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种确定晶圆缺陷来源的方法，通过该方法可以发现多个晶圆甚至批次加工后的晶圆存在的连续型缺陷，从而可以通过分析其产生连续型缺陷的原因，优化晶圆的制备加工制程，提高生产效率和产品的良率。

根据本发明的一个方面，本发明提出了一种确定晶圆缺陷来源的方法，根据本发明的实施例，该方法包括：

获取多个晶圆的图像，所述多个晶圆来自于同一晶棒，并且所述多个晶圆的边缘上分别形成有定位点；

将所述多个晶圆的图像进行立体化叠加处理，所述立体化叠加处理是基于所述定位点进行的，以便获得所述多个晶圆的叠加图像；

在所述叠加图像上寻找缺陷，确定是否存在连续型缺陷，所述连续型缺陷出现在至少两个晶圆的相同位置上，其中，所述连续型缺陷的存在是所述缺陷来源于所述晶圆的制备加工制程的指示。