[发明专利]确定晶圆缺陷来源的方法有效
申请号: | 201910376534.7 | 申请日: | 2019-05-07 |
公开(公告)号: | CN110223929B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 郑加镇 | 申请(专利权)人: | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 221004 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 确定 缺陷 来源 方法 | ||
1.一种确定晶圆缺陷来源的方法,其特征在于,包括:
获取多个晶圆的图像,所述多个晶圆来自于同一晶棒,并且所述多个晶圆的边缘上分别形成有定位点;
将所述多个晶圆的图像按照原有顺序进行立体化叠加处理,所述立体化叠加处理是基于所述定位点进行的,以便获得所述多个晶圆的叠加图像;
在所述叠加图像上寻找缺陷,确定是否存在连续型缺陷,所述连续型缺陷出现在相邻的至少3个晶圆的相同位置上,其中,所述连续型缺陷的存在是所述缺陷来源于所述晶圆的制备加工制程的指示,
所述多个晶圆的所述图像是通过对所述多个晶圆进行影像处理或者对所述多个晶圆的数据集进行重构获得的。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述连续型缺陷出现在至少5个晶圆上。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述连续型缺陷位于所述晶圆的边缘上,并且连续型缺陷是通过下列步骤确定的:
构建X-Y-Z空间直角坐标系,并将所述叠加图像的表面垂直Z轴设置,
确定各缺陷在所述晶圆的边缘上对应的弧线段,将所述弧线段的中心点作为所述缺陷的表征点;
确定所述表征点在所述X-Y-Z空间直角坐标系中的坐标;
在相邻的两个晶圆上,将满足下列条件至少之一的两个表征点所对应的两个缺陷作为所述连续型缺陷:
(1)所述两个表征点的x轴和y轴的坐标差异分别小于第一预定阈值;
(2)所述两个表征点所对应的弧线段在所述叠加图像的表面上的投影存在至少一部分重叠。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第一预定阈值是基于所述两个表征点所对应弧线段的长度确定的。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述第一预定阈值小于所述两个表征点所对应弧线段中较小弧线段长度的50%。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述连续型缺陷位于所述晶圆的内部,并且所述方法包括:
构建X-Y-Z空间直角坐标系;
获取所述多个晶圆的数据集,并且基于所述数据集在所述X-Y-Z空间直角坐标系中对所述多个晶圆的结构进行重构;
分别在所述多个晶圆的每一个表面上确定缺陷区域;
确定所述缺陷区域的中心点作为所述缺陷区域的表征点;
在相邻的两个晶圆上,将满足下列条件至少之一的两个中心点所对应的两个缺陷区域作为所述连续型缺陷:
(1)所述两个中心点的x轴和y轴的坐标差异分别小于第二预定阈值;
(2)所述两个中心点所对应的缺陷区域在与所述叠加图像的表面上的投影存在至少一部分重叠。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,第二预定阈值是由两个缺陷区域的所能确定的最长线段确定的。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第二预定阈值小于所述最长线段的50%。
9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述缺陷区域是通过多个缺陷点构成的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐州鑫晶半导体科技有限公司,未经徐州鑫晶半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910376534.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造