[发明专利]半导体封装件在审

申请号：	201910376198.6	申请日：	2019-05-07
公开（公告）号：	CN110739299A	公开（公告）日：	2020-01-31
发明（设计）人：	金容勳	申请（专利权）人：	三星电子株式会社
主分类号：	H01L25/18	分类号：	H01L25/18;H01L23/31;H01L23/482;H01L23/488;H01L21/60
代理公司：	11286 北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人：	包国菊;金光军
地址：	韩国京畿***	国省代码：	韩国;KR
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摘要：
搜索关键词：	集成电路芯片第一表面连接构件电容器核心功率半导体封装件邻近图形处理单元重新分布层人工智能彼此相对单元设置第二表面包封剂包封
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【权利要求书】：

1.一种半导体封装件，包括：

连接构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并包括重新分布层；

集成电路芯片，设置在所述连接构件的所述第一表面上，具有连接到所述重新分布层的连接电极，并包括多个单元；

至少一个电容器，设置在所述连接构件的所述第一表面上并设置为邻近于所述集成电路芯片；和

包封剂，设置在所述连接构件的所述第一表面上，并包封所述集成电路芯片和所述至少一个电容器，

其中，所述多个单元包括核心功率单元，至少一个所述核心功率单元设置为邻近于所述集成电路芯片的第一边缘，

所述至少一个电容器设置为邻近于所述集成电路芯片的所述第一边缘。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述重新分布层包括直接连接所述至少一个核心功率单元和所述至少一个电容器的布线。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述至少一个电容器包括沿着所述集成电路芯片的所述第一边缘布置的多个电容器。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述至少一个核心功率单元中的至少一个设置在所述集成电路芯片的拐角中，以便邻近于所述集成电路芯片的两个相交边缘。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，沿着所述两个相交边缘布置有多个电容器。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个单元还包括与所述集成电路芯片的边缘间隔开的至少一个其它核心功率单元，且其它单元介于所述至少一个其它核心功率单元与所述集成电路芯片的所述边缘之间，并且所述至少一个其它核心功率单元的功耗低于所述至少一个核心功率单元的功耗。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个单元还包括多个低功率单元，所述多个低功率单元中的每个的功耗低于所述核心功率单元中的每个的功耗，并且所述多个低功率单元中的至少一个与所述集成电路芯片的边缘间隔开，且其它单元介于所述多个低功率单元中的所述至少一个低功率单元与所述集成电路芯片的所述边缘之间。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述多个低功率单元包括从由接口单元、存储器单元和输入输出单元组成的组中选择的单元。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：支撑构件，设置在所述连接构件的所述第一表面上，并且具有容纳所述集成电路芯片和所述至少一个电容器的腔。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，所述支撑构件包括：布线结构，连接所述支撑构件的上表面和下表面并连接到所述重新分布层。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述核心功率单元包括从由中央处理单元、图形处理单元和人工智能单元组成的组中选择的单元。

12.一种半导体封装件，包括：

连接构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并包括重新分布层；

集成电路芯片，设置在所述连接构件的所述第一表面上，具有连接到所述重新分布层的连接电极，并包括多个单元；

多个电容器，设置在所述连接构件的所述第一表面上并邻近于所述集成电路芯片；和

包封剂，设置在所述连接构件的所述第一表面上并包封所述集成电路芯片和所述多个电容器，

其中，所述多个单元包括：第一单元，具有第一功耗并且设置为邻近于所述集成电路芯片的边缘；以及第二单元，具有低于所述第一功耗的第二功耗并且相对于所述边缘比所述第一单元更靠内侧设置，并且

所述多个电容器设置为邻近于所述集成电路芯片的所述边缘。

13.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，所述第一单元包括从由中央处理单元、图形处理单元和人工智能单元组成的组中选择的至少一个单元。