[发明专利]终端电阻电路及其控制方法

说明书

本申请涉及终端电阻电路及其控制方法。一种终端电阻电路，连接于存储器模块，其包括第一传输线、第一终端电阻、第二终端电阻、第一开关电路、第三终端电阻、第四终端电阻、第二开关电路及终端电阻控制逻辑。第一终端电阻及第二终端电阻耦接于第一传输线上的第一节点。第一开关电路包括第一开关及第二开关，并根据第一控制信号而驱动。第三终端电阻及第四终端电阻耦接于第一传输线上的第二节点。第二开关电路包括第三开关及第四开关，并根据第二控制信号而驱动。终端电阻控制逻辑输出第一控制信号及第二控制信号，以控制第一开关电路及第二开关电路在不同时间点导通。

技术领域

本发明涉及一种终端电阻电路及其控制方法，特别是涉及一种具有分时导通机制的终端电阻电路及其控制方法。

背景技术

传统的动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)模块通常包括终端电阻(on-die termination,ODT)，该终端电阻用于信号线的阻抗匹配，并降低信号失真。传统的终端电阻通常耦接至参考电压，例如接地电压。

在现有存储器中，当控制器进行读取时，会先将ODT(On-Die-Termination)打开，使DDR3/LPDDR2/LPDDR3的数据信号脚位DQ/DQS/DQS#停留在1/2VDD准位，DDR4停在VDD准位，LPDDR4停在VSS准位，当打开ODT一瞬间会因同时打开造成同时驱动电流而造成芯片内电源节点的电压或芯片内接地节点的电压跳动。

具体来说，由于外部电源节点与芯片内电源节点之间会有封装电源电感存在，且在外部接地节点与芯片内接地节点之间亦会有封装接地电感存在，其电压差异如下式(1)、(2)所示：

V-V’＝Lp(di/dt)……式(1)

G’-G＝Lg(di/dt)……式(2)

其中，V为外部电源节点电位，V’为芯片内电源节点电位，G为外部接地节点电位，G’为芯片内接地节点电位，Lp为封装电源电感值，Lg为封装接地电感，i为电流，t为时间，由上述可知，ODT启动时会因封装电源电感及封装接地电感而造成芯片内电源节点的电压或芯片内接地节点的电压跳动，影响存储器模块的运作。

故，如何通过终端电阻电路控制机制设计的改良，来降低芯片内电源节点的电压或芯片内接地节点的电压跳动，并克服上述的缺陷，已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种终端电阻电路及其控制方法。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种终端电阻电路，连接于存储器模块，其包括第一传输线、第一终端电阻、第二终端电阻、第一开关电路、第三终端电阻、第四终端电阻、第二开关电路及终端电阻控制逻辑。第一传输线用于在存储器模块与第一接垫之间传输数据。第一终端电阻耦接于第一传输线上的第一节点。第二终端电阻耦接于第一节点。第一开关电路包括第一开关及第二开关，第一开关耦接于第一芯片内电源节点及第一终端电阻之间，并根据第一控制信号而驱动，第二开关耦接于第二终端电阻及第一芯片内接地节点之间，并根据第一控制信号而驱动。第三终端电阻，耦接于第一传输线上的第二节点。第四终端电阻，耦接于第二节点。第二开关电路包括第三开关及第四开关，第三开关耦接于第二芯片内电源节点及第三终端电阻之间，并根据第二控制信号而驱动，第四开关耦接于第四终端电阻及第二芯片内接地节点之间，并根据第二控制信号而驱动。终端电阻控制逻辑被配置为输出第一控制信号及第二控制信号，以控制第一开关电路及第二开关电路在不同时间点导通。