[发明专利]射线探测器及其形成方法在审
| 申请号： | 201910369253.9 | 申请日： | 2019-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN110007333A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 贺行政;罗文哲 | 申请（专利权）人： | 昆山锐芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/202 | 分类号： | G01T1/202 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆山市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪烁晶体 射线探测器 光电传感器 可见光透过率 探测灵敏度 光输出 | ||
1.一种射线探测器，其特征在于，包括：
光电传感器；
位于光电传感器表面的第一闪烁晶体层；
位于第一闪烁晶体层表面的第二闪烁晶体层，所述第二闪烁晶体层的相对光输出大于第一闪烁晶体层，所述第一闪烁晶体层的可见光透过率大于第二闪烁晶体层。
2.根据权利要求1所述的射线探测器，其特征在于，所述第二闪烁晶体层的相对光输出为2％～100％。
3.根据权利要求1所述的射线探测器，其特征在于，所述第二闪烁晶体层的材料包括：锗酸铋、硅酸镥、硅酸钇镥、硅酸钆镥、硅酸钆、硅酸钇、氟化钡、碘化钠、碘化铯、钨酸铅、铝酸钇、溴化镧、氯化镧、钙钛镥铝、焦硅酸镥、铝酸镥、GOS陶瓷晶体和碘化镥中的至少一个。
4.根据权利要求1所述的射线探测器，其特征在于，所述第一闪烁晶体层的可见光透过率为1％～99％。
5.根据权利要求1所述的射线探测器，其特征在于，所述第一闪烁晶体层的材料包括：锗酸铋、硅酸镥、硅酸钇镥、硅酸钆镥、硅酸钆、硅酸钇、氟化钡、碘化钠、碘化铯、钨酸铅、铝酸钇、溴化镧、氯化镧、钙钛镥铝、焦硅酸镥、铝酸镥、GOS陶瓷晶体和碘化镥中的至少一个。
6.根据权利要求1所述的射线探测器，其特征在于，所述第二闪烁晶体层的厚度为0.1mm～5mm。
7.根据权利要求1所述的射线探测器，其特征在于，所述第一闪烁晶体层的厚度为0.1mm～5mm。
8.根据权利要求1所述的射线探测器，其特征在于，所述第二闪烁晶体层和第一闪烁晶体层之间通过光学胶耦合固定。
9.根据权利要求1所述的射线探测器，其特征在于，所述第一闪烁晶体层与光电传感器通过光学胶耦合固定。
10.根据权利要求1所述的射线探测器，其特征在于，所述第二闪烁晶体层包括第一有效区和第一隔离区，所述第二闪烁晶体层包括第一面，所述第二闪烁晶体层的第一面与第一闪烁晶体层耦合；所述第一闪烁晶体层包括第二有效区和第二隔离区，所述第二有效区投影在第一面表面的图形位于第一有效区，并且所述第二隔离区投影在第一面表面的图形位于第一隔离区内。
11.一种如权利要求1至10任一项所述的射线探测器的形成方法，其特征在于，包括：
提供光电传感器；
在所述光电传感器表面形成第一闪烁晶体层；
在所述第一闪烁晶体层表面形成第二闪烁晶体层，所述第二闪烁晶体层的相对光输出大于第一闪烁晶体层，所述第一闪烁晶体层的可见光透过率大于第二闪烁晶体层。
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