[发明专利]负载跳变快速响应电路及快速响应方法有效
申请号: | 201910368600.6 | 申请日: | 2019-05-05 |
公开(公告)号: | CN110109501B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 吴青龙 | 申请(专利权)人: | 深圳市思远半导体有限公司 |
主分类号: | G05F1/565 | 分类号: | G05F1/565 |
代理公司: | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人: | 陈巍巍 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 负载 快速 响应 电路 方法 | ||
本发明提供了一种负载跳变快速响应电路,包括负载跳变检测模块、逻辑控制模块以及快速响应模块;所述负载跳变检测模块包括第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容以及比较器;所述快速响应模块通过调整输入对管数量和电流源数量的方式调整输出电流。本发明还提供了一种基于所述电平转换电路的快速响应方法。与相关技术相比,本发明的负载跳变快速响应电路和快速响应方法可以快速减小负载电压跳变对负载电压的影响,且电路结构简单易于拓展。
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域,尤其涉及一种负载跳变快速响应电路和快速响应方法。
背景技术
目前,随着智能手机、可穿戴装置、电动工具、无人机等可移动设备的使用越来越多。所述移动设备中的充放电电路是重要的组成部分。其中,所述充放电电路通过内部电路产生根据一定电压值的输出电压,所述充放电电路的输出电压用于负载的充电和放电,而负载跳变快速响应电路是所述充放电电路的基本电路,所述负载跳变快速响应电路有利于提高所述充放电电路的可靠性。
相关技术的所述负载跳变快速响应电路一般采用数模混合电路方式实现,在检测负载两端的电压方面采用窗口检测方式,该窗口检测方式在数字电路方面需要多个数字时钟信号检测,并在模拟电路方面需要对所述负载电压设定一定的电压值以判断是否发生负载电压跳变。
然而,相关技术中,一方面,由于采用多个数字时钟进行检测,直接影响到下一级的控制电路的控制信号占空比较大,而导致所述负载跳变快速响应电路输出出现超调现象;另一方面,模拟电路检测电路需要所述负载电压先下降到一定电压值后,该电路才能检测到,直接导致整个电路响应不够及时。
因此,实有必要提供一种新的负载跳变快速响应电路和快速响应方法解决上述问题。
发明内容
针对以上现有技术的不足,本发明提出一种可以快速减小负载电压跳变对负载电压的影响,且电路结构简单易于拓展的负载跳变快速响应电路和快速响应方法。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种负载跳变快速响应电路,所述负载跳变快速响应电路包括:负载跳变检测模块,用于将接收到的负载电压信号与预设的参考电压信号进行比较判断并输出检测信号;逻辑控制模块,用于对所述检测信号进行负载状态判断,根据判断结果进行逻辑运算产生控制信号;以及快速响应模块,用于接收所述控制信号并调整输出电流以使所述负载电压快速稳定;所述负载跳变检测模块包括第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容以及比较器;所述第一电阻的第一端分别连接至参考电压输入端和所述比较器的正输入端,所述第一电阻的第二端分别连接至所述第一电容的正极端和所述比较器的负输入端;所述第二电阻的第一端连接至负载电压输入端,所述第二电阻的第二端分别连接至所述第一电容的负极端和所述第二电容的正极端;所述第二电容的负极端连接至接地;所述比较器的输出端作为所述负载跳变检测模块的检测信号输出端;所述快速响应模块通过调整输入对管数量和电流源数量的方式调整输出电流。
优选的,所述逻辑控制模块为数字电路。
优选的,所述快速响应模块包括第一电流源、第二电流源、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一开关、第二开关以及第三开关;所述第一电流源的输入端和第二电流源的输入端均连接至电源电压;所述第一电流源的输出端分别连接至所述第一开关的第二端、所述第一晶体管的源极端、所述第二晶体管的源极端、所述第三晶体管的源极端以及所述第四晶体管的源极端;所述第二电流源的输出端分别连接至所述第一开关的第一端;所述第一晶体管的栅端分别连接至所述第三晶体管的栅端和负导通电压输入端,所述第一晶体管的漏极连接至所述第二开关的第二端并作为所述快速响应模块的第一输出端;所述第二晶体管的栅端分别连接至所述第四晶体管的栅端和正导通电压输入端,所述第二晶体管的漏极连接至所述第三开关的第二端并作为所述快速响应模块的第二输出端;所述第三晶体管的漏极连接至所述第二开关的第一端;所述第四晶体管的漏极连接至所述第三开关的第一端;所述第一开关的第三端、所述第二开关的第三端以及所述第三开关的第三端均连接至控制信号输入端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市思远半导体有限公司,未经深圳市思远半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910368600.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种可自激补偿的带隙基准电压源
- 下一篇:电源电路及用电设备