[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、凸出于所述衬底的鳍部、以及位于所述鳍部上的至少一个沟道叠层，所述沟道叠层包括牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层，所述衬底包括核心区和周边区；

在所述鳍部露出的衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的侧壁；

形成所述隔离层后，形成横跨所述沟道叠层的伪栅极层，所述伪栅极层覆盖所述沟道叠层的部分顶部和部分侧壁；

去除所述周边区的伪栅极层和牺牲层；

去除所述周边区的伪栅极层和牺牲层后，在所述周边区的沟道层表面形成栅氧化层；

形成所述栅氧化层后，去除所述核心区的伪栅极层和牺牲层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述核心区的伪栅极层和牺牲层的步骤包括：在所述周边区的隔离层上形成遮挡层，所述遮挡层覆盖所述栅氧化层；

以所述遮挡层为掩膜，依次去除所述核心区的伪栅极层和牺牲层；

去除所述遮挡层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述伪栅极层的步骤包括：采用干法刻蚀工艺，去除部分厚度的所述伪栅极层；采用湿法刻蚀工艺，去除剩余厚度的所述伪栅极层；

或者，

去除所述伪栅极层的步骤包括：采用干法刻蚀工艺，去除所述伪栅极层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺，去除所述牺牲层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原位蒸汽生成氧化工艺或原子层沉积工艺，在所述周边区的沟道层表面形成所述栅氧化层；

或者，

在所述周边区的沟道层表面形成所述栅氧化层的步骤包括：采用原位蒸汽生成氧化在所述周边区的沟道层表面形成底部栅氧化层；采用原子层沉积工艺在所述底部栅氧化层上表面形成顶部栅氧化层，所述顶部栅氧化层和底部栅氧化层用于构成所述栅氧化层。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述周边区的沟道层表面形成所述栅氧化层的工艺包括原子层沉积工艺；

形成所述栅氧化层后，还包括：对所述栅氧化层进行致密化处理。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用退火工艺进行所述致密化处理。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火工艺为RTA工艺。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述RTA工艺的工艺温度为900℃至1150℃。

10.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述遮挡层的材料为有机材料。

11.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述遮挡层的材料包括BARC材料、ODL材料、光刻胶、DARC材料或DUO材料。

12.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述遮挡层的工艺包括旋涂工艺。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述核心区的伪栅极层和牺牲层后，还包括：形成栅极结构，所述栅极结构包围所述核心区的沟道层以及周边区的栅氧化层。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅极层的材料为多晶硅或非晶碳。

15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料和所述栅氧化层的材料相同。