[发明专利]ESD防护薄膜晶体管及ESD防护结构有效

申请号：	201910357615.2	申请日：	2019-04-29
公开（公告）号：	CN110085584B	公开（公告）日：	2023-05-30
发明（设计）人：	肖翔;韩佰祥	申请（专利权）人：	深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02;H01L29/417;H01L29/786
代理公司：	深圳市德力知识产权代理事务所 44265	代理人：	林才桂;王中华
地址：	518132 广东省深***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	esd 防护薄膜晶体管结构
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【权利要求书】：

1.一种ESD防护薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板(1)、设于所述基板(1)上的有源层(2)、设于所述有源层(2)及基板(1)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上并与所述有源层(2)相对的栅极(4)、设于所述栅极(4)及栅极绝缘层(3)上的层间绝缘层(5)以及设于所述层间绝缘层(5)上的间隔分布的源极(6)及漏极(7)；

所述源极(6)具有数个第一静电释放尖端(60)，所述漏极(7)具有分别正对所述数个第一静电释放尖端(60)的数个第二静电释放尖端(70)；

所述源极(6)与所述栅极(4)至少部分交叠形成第一耦合电容(C1)，所述漏极(7)与所述栅极(4)至少部分交叠形成第二耦合电容(C2)，以通过所述第一耦合电容(C1)或第二耦合电容(C2)的作用向所述栅极(4)传递电压，导通所述ESD防护薄膜晶体管进行静电释放。

2.如权利要求1所述的ESD防护薄膜晶体管，其特征在于，所述源极(6)和漏极(7)均为U形；

所述源极(6)具有2个分别位于所述源极(6)的两端部的第一静电释放尖端(60)，所述漏极(7)具有2个分别位于所述漏极(7)的两端部的第二静电释放尖端(70)。

3.如权利要求1所述的ESD防护薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层(2)的材料为非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。

4.如权利要求1所述的ESD防护薄膜晶体管，其特征在于，贯穿所述层间绝缘层(5)及栅极绝缘层(3)设有第一过孔(81)及第二过孔(82)，所述源极(6)及漏极(7)分别通过所述第一过孔(81)及第二过孔(82)与有源层(2)的两端接触。

5.一种ESD防护结构，其特征在于，包括信号线(100)、公共电压线(200)及ESD防护薄膜晶体管(T)；

所述ESD防护薄膜晶体管(T)包括：基板(1)、设于所述基板(1)上的有源层(2)、设于所述有源层(2)及基板(1)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上并与所述有源层(2)相对的栅极(4)、设于所述栅极(4)及栅极绝缘层(3)上的层间绝缘层(5)以及设于所述层间绝缘层(5)上的间隔分布的源极(6)及漏极(7)；

所述源极(6)具有数个第一静电释放尖端(60)，所述漏极(7)具有分别正对所述数个第一静电释放尖端(60)的数个第二静电释放尖端(70)；

所述源极(6)及漏极(7)分别电性连接所述信号线(100)和所述公共电压线(200)；

6.如权利要求5所述的ESD防护结构，其特征在于，所述源极(6)和漏极(7)均为U形；

所述源极(6)具有2个分别位于所述源极(6)的两端部的第一静电释放尖端(60)，所述漏极(7)具有2个分别位于所述漏极(7)的两端部的第二静电释放尖端(70)。

7.如权利要求5所述的ESD防护结构，其特征在于，所述有源层(2)的材料为非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。

8.如权利要求5所述的ESD防护结构，其特征在于，贯穿所述层间绝缘层(5)及栅极绝缘层(3)设有第一过孔(81)及第二过孔(82)，所述源极(6)及漏极(7)分别通过所述第一过孔(81)及第二过孔(82)与有源层(2)的两端接触。

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