[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，栅极结构露出的基底上形成有初始介质层，初始介质层覆盖栅极结构顶部，源漏掺杂层顶部的初始介质层内形成有与源漏掺杂层电连接的源漏接触孔插塞；去除部分厚度初始介质层，形成介质层，露出源漏接触孔插塞的部分侧壁；至少在介质层露出的源漏接触孔插塞侧壁上形成刻蚀停止层；以相邻源漏接触孔插塞侧壁上的刻蚀停止层为横向停止位置，刻蚀栅极结构顶部的介质层，形成露出栅极结构顶部的栅极接触孔；在栅极接触孔内形成与栅极结构电连接的栅极接触孔插塞。本发明实施例有利于增大形成有源栅极接触孔插塞的工艺窗口。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着集成电路制造技术的不断发展，人们对集成电路的集成度和性能的要求变得越来越高。为了提高集成度，降低成本，元器件的关键尺寸不断变小，集成电路内部的电路密度越来越大，这种发展使得晶圆表面无法提供足够的面积来制作所需要的互连线。

为了满足关键尺寸缩小过后的互连线所需，目前不同金属层或者金属层与基底的导通是通过互连结构实现的。互连结构包括互连线和形成于接触开口内的接触孔插塞。接触孔插塞与半导体器件相连接，互连线实现接触孔插塞之间的连接，从而构成电路。

晶体管结构内的接触孔插塞包括位于栅极结构表面的栅极接触孔插塞，用于实现栅极结构与外部电路的连接，还包括位于源漏掺杂层表面的源漏接触孔插塞，用于实现源漏掺杂层与外部电路的连接。

目前，为实现晶体管面积的进一步缩小，引入了有源栅极接触孔插塞(ContactOver Active Gate，COAG)工艺。与传统的栅极接触孔插塞位于隔离区域的栅极结构上方相比，COAG工艺能够把栅极接触孔插塞做到有源区(Active Area，AA)的栅极结构上方，从而进一步节省芯片的面积。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，增大形成COAG的工艺窗口。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，所述栅极结构露出的基底上形成有初始介质层，所述初始介质层覆盖所述栅极结构顶部，所述源漏掺杂层顶部的初始介质层内形成有源漏接触孔插塞，所述源漏接触孔插塞与所述源漏掺杂层电连接；去除部分厚度的所述初始介质层，形成介质层，露出所述源漏接触孔插塞的部分侧壁；至少在所述介质层所露出的源漏接触孔插塞的侧壁上形成刻蚀停止层；以相邻所述源漏接触孔插塞侧壁上的刻蚀停止层为侧向刻蚀停止位置，刻蚀所述栅极结构顶部的介质层，形成露出所述栅极结构顶部的栅极接触孔；在所述栅极接触孔内形成栅极接触孔插塞，所述栅极接触孔插塞与所述栅极结构电连接。

相应的，本发明实施例还提供一种半导体结构，包括：基底；栅极结构，位于所述基底上；源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的基底内；介质层，位于所述栅极结构露出的基底上，所述介质层覆盖所述栅极结构顶部；源漏接触孔插塞，位于所述源漏掺杂层顶部的所述介质层内，所述源漏接触孔插塞和所述源漏掺杂层电连接，且所述源漏接触孔插塞顶部高于所述介质层顶部；刻蚀停止层，至少位于所述介质层所露出的源漏接触孔插塞的侧壁上；栅极接触孔，位于相邻所述源漏接触孔插塞侧壁上的刻蚀停止层之间的介质层内，所述栅极接触孔露出所述栅极结构顶部。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：