[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，所述栅极结构露出的基底上形成有初始介质层，所述初始介质层覆盖所述栅极结构顶部，所述源漏掺杂层顶部的初始介质层内形成有源漏接触孔插塞，所述源漏接触孔插塞与所述源漏掺杂层电连接；

去除部分厚度的所述初始介质层，形成介质层，露出所述源漏接触孔插塞的部分侧壁；

至少在所述介质层所露出的源漏接触孔插塞的侧壁上形成刻蚀停止层；

以相邻所述源漏接触孔插塞侧壁上的刻蚀停止层为侧向刻蚀停止位置，刻蚀所述栅极结构顶部的介质层，形成露出所述栅极结构顶部的栅极接触孔；

在所述栅极接触孔内形成栅极接触孔插塞，所述栅极接触孔插塞与所述栅极结构电连接。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀停止层的步骤中，所述刻蚀停止层保形覆盖所述介质层所露出的源漏接触孔插塞的顶部和侧壁、以及所述介质层的顶部。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极接触孔插塞的步骤包括：形成填充所述栅极接触孔的导电材料层，所述导电材料层还覆盖所述源漏接触孔插塞和介质层顶部的刻蚀停止层；以所述介质层顶部的刻蚀停止层顶面为停止位置，对所述导电材料层进行第一平坦化处理。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极接触孔插塞的步骤还包括：进行所述第一平坦化处理后，以所述介质层顶面为停止位置，对所述导电材料层和刻蚀停止层进行第二平坦化处理。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺进行所述第一平坦化处理。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺进行所述第二平坦化处理。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述介质层的步骤中，所述介质层顶部至所述源漏接触孔插塞顶部的距离为50埃米至300埃米。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀停止层的步骤中，所述刻蚀停止层的厚度为50埃米至300埃米。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极接触孔的步骤包括：形成覆盖所述刻蚀停止层的掩膜层；图形化所述掩膜层，在所述掩膜层中形成掩膜开口；以所述掩膜层为掩膜，以相邻所述源漏接触孔插塞侧壁上的刻蚀停止层为侧向刻蚀停止位置，刻蚀所述掩膜开口露出的所述介质层，形成所述栅极接触孔；

形成所述栅极接触孔后，还包括：去除所述掩膜层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构顶部还形成有自对准停止层；

形成所述栅极接触孔的步骤还包括：刻蚀所述栅极结构顶部的介质层后，刻蚀所述自对准停止层；

刻蚀所述自对准停止层的步骤中，所述自对准停止层的材料与所述刻蚀停止层材料的刻蚀选择比大于或等于5：1。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为氮化硅或碳化硅。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀停止层的工艺包括原子层沉积工艺。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除部分厚度的所述初始介质层。