[发明专利]一种TF型微波高频陶瓷覆铜板

权利要求书

1.一种TF型微波高频陶瓷覆铜板，包括覆铜箔板(1)、纳米陶瓷聚四氟乙烯介质基片(2)和绝缘介质层(3)，其特征在于：所述纳米陶瓷聚四氟乙烯介质基片(2)由陶瓷微晶粉体、聚四氟乙烯乳液和金红石粉压制而成，所述绝缘介质层(3)的外侧设置有纳米陶瓷聚四氟乙烯介质基片(2)，所述纳米陶瓷聚四氟乙烯介质基片(2)的外层设置有覆铜箔板(1)。

2.根据权利要求1所述的一种TF型微波高频陶瓷覆铜板，其特征在于：所述绝缘介质层(3)是由聚四氟乙烯、陶瓷粉和金红石粉不同的比例进行组成，以满足各种不同的类型的覆铜箔板(1)要求，所述覆铜箔板(1)的厚度为0.03mm—0.08mm。

3.根据权利要求1所述的一种TF型微波高频陶瓷覆铜板，其特征在于：所述纳米陶瓷聚四氟乙烯介质基片(2)中陶瓷微晶粉体占35～44％，聚四氟乙烯乳液占15～30％，金红石粉占35～44％，其中，陶瓷微晶粉体是用陶瓷粉末原料与金红石粉经球磨，固相反应煅烧粉碎所得。

4.根据权利要求3所述的一种TF型微波高频陶瓷覆铜板，其特征在于：所述陶瓷粉末原料中含有的主要组分是二氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)和氧化锌(ZnO)，含有的微量添加物组分是：碳酸钙(CaCO3)、二氧化钛(TiO2)、三氧化二铝(Al2O3)、五氧化二钒(V2O5)和碳酸锂(LiCO3)。

5.根据权利要求1所述的一种TF型微波高频陶瓷覆铜板，其特征在于：所述TF型微波高频陶瓷覆铜板的制作方法包括以下步骤：

S1介质料的准备，介质料为陶瓷微晶粉体。

S2对介质料进行球磨。

S3介质料与聚四氟乙烯乳和金红石粉进行混合配比。

S4对原料进行烘干并热压。

S5对原料热压后的原料再进行冷压形成微波陶瓷复合介质。

S6最后进行覆铜箔。

S7覆铜后，按成品要求进行检测，检测成品外观平整，无扭翘，无缺料、松弛和孔洞，允许有少量杂质，不允许有金属等导电杂质。

S8对检验合格的产品进行包装。

6.根据权利要求3所述的一种TF型微波高频陶瓷覆铜板，其特征在于：所述陶瓷微晶粉体制作过程有以下步骤：

S1准备其中陶瓷粉末和金红石粉，陶瓷粉末包括碳酸钙(CaCO3)、二氧化钛(TiO2)、三氧化二铝(Al2O3)、五氧化二钒(V2O5)和碳酸锂(LiCO3)，各组分的重量百分比含量为：二氧化硅35～45％、氧化镁40～55％、氧化锌1～5％、三氧化二铝0.5～5％、碳酸钙0.5～5％、二氧化钛1～4％、五氧化二钒0.5～2％、碳酸锂0.1～5％。

S2上述各组分经过称量，混合，加水调料至呈稀糊状,放入球磨机的料桶中搅磨6-8小时。

S3将球磨好的浆料压滤，滤液回用前述调料。

S4滤饼后放入烘箱中，升温至350-550℃进行烘干3-5小时，将煅烧料粉碎至325目，得到陶瓷微晶粉体。

7.根据权利要求5所述的一种TF型微波高频陶瓷覆铜板，其特征在于：所述压制过程需要热压机和冷压机，包括以下步骤：

S1检查模具内是否清洁有杂质，去除杂质后，打好脱模剂，将配制好的物料倒入模具中，均匀铺平，装好模具。

S2打开电器开关加热，到垫板温度450℃以上，将模具放到热压机平台上，并控制压力为6MPa～12MPa，当温度达到375℃～385℃(±10℃)时时间设定为5-15分钟，松开压力，并立即转移模具到冷压机平台上加压，保持压力6MPa～12MPa后，当温度自然冷却到小于120℃时，消除压力取出模具，将压制好的介质基片取出。

S3将压制好的介质基片用丙酮清洗干净凉干后，敷上铜箔，平放到热压机中，热板温度设定385℃～405℃(±10℃)，压力控制在6MPa～12MPa后，保温15～30分钟，后自然冷却到250℃以下，水冷，水冷到100℃以下，卸模取出产品。

S4覆铜后，按成品要求进行检测。

8.根据权利要求1所述的一种TF型微波高频陶瓷覆铜板，其特征在于：所述配料过程需要使用球磨机、天平和烘箱，包括以下步骤：

S1根据生产通知单的成分配比，由配料组按配制公式将金红石粉及聚四氟乙烯乳液配制好。

S2将配制好的混合料倒入球磨机中，进行球磨，时间为40小时。

S3球磨25小时左右，停机翻动混合料，以防有料进入死角。

S4球磨时间到40小时后，打开球磨机，检查混合料，物料呈均匀粉状，且无白色颗粒状时，即球磨完成。

S5将球磨好的混合料加入二甲苯搅拌成糊状，放入烘箱进行烘干，烘干温度60℃～120℃(±10℃)，时间10小时，烘干后的混合物为均匀颗粒。

S6对球磨好物料进行检验，若球磨后物料均匀，无白色颗粒状即满足生产要求。

S7对照生产通知单的要求和尺寸，按εr＝9.6，比重2.261g/cm3进行称重分包，分包后转入下道工序使用。