[发明专利]一种现场可编程逻辑门阵列芯片和数据交互方法有效
申请号: | 201910351369.X | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN110162494B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 谭经纶 | 申请(专利权)人: | 芯盟科技有限公司 |
主分类号: | G06F13/12 | 分类号: | G06F13/12;G06F13/16;G06F15/78 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 李强;张颖玲 |
地址: | 314400 浙江省嘉兴市海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 现场 可编程 逻辑 门阵列 芯片 数据 交互 方法 | ||
本发明实施例公开了一种可编程逻辑门阵列芯片,包括:动态随机存储模块,逻辑模块;其中,所述动态随机存储模块包括第一衬底和设置于所述第一衬底上的第一金属导体;所述逻辑模块包括第二衬底和设置于所述第二衬底上的第二金属导体;所述动态随机存储模块的第一衬底与所述逻辑模块的第二衬底贴合设置,且所述动态随机存储模块的第一金属导体和所述逻辑模块的第二金属导体导通;所述动态随机存储模块,用于通过所述第一金属导体和所述第二金属导体导通形成的通路与所述逻辑模块进行数据交互。本发明的实施例同时还公开了一种数据交互方法。
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种现场可编程逻辑门阵列芯片和数据交互方法。
背景技术
现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA),是一种可编程器件,设计人员可以通过软件工具更改、配置器件内部的连接结构和逻辑,实现快速开发、仿真和测试。
在实际应用中,传统的FPGA芯片通常是基于静态随机存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)的结构。如图1所示的基于SRAM存储器的FPGA芯片的基本结构由7部分构成,分别为:可编程输入输出单元(Input Output Block,IOB)、基本可编程逻辑单元(Configurable Logic Block,CLB)、时钟管理模块(Digital Clock Manager,DCM)、嵌入式RAM、丰富的布线资源、内嵌的底层功能单元(图中未示出)和内嵌专用硬件模块(图中未示出)。其中,嵌入式RAM为SRAM。
在实际应用中,由于嵌入FPGA中的SRAM元件中使用的MOS管比较多,使得FPGA芯片的占用面积相对较大,集成度低。并且,FPGA内部自带的SRAM的存储空间有限,当进行大容量数据存储时,现有的FPGA芯片无法满足系统设计需求,需要将FPGA与外部RAM相结合完成大容量数据的存储,因此,数据传输需要消耗大量的时间,数据处理的速度较慢。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明实施例期望提供一种FPGA芯片和数据交互方法。
本发明的技术方案是这样实现的:
第一方面,提供一种FPGA芯片,包括:动态随机存储模块,逻辑模块;其中,
所述动态随机存储模块包括第一衬底和设置于所述第一衬底上的第一金属导体;
所述逻辑模块包括第二衬底和设置于所述第二衬底上的第二金属导体;
所述动态随机存储模块的第一衬底与所述逻辑模块的第二衬底贴合设置,且所述动态随机存储模块的第一金属导体和所述逻辑模块的第二金属导体导通;
所述动态随机存储模块,用于通过所述第一金属导体和所述第二金属导体导通形成的通路与所述逻辑模块进行数据交互。
进一步地,第一衬底和所述第二衬底通过混合键合方式连接。
进一步地,所述第一金属导体和第二金属导体的材质为铜。
进一步地,所述动态随机存储模块被配置为所述FPGA芯片的内部存储阵列。
进一步地,所述逻辑模块包括:互补金属氧化物半导体(Complementary MetalOxide Semiconductor,CMOS)晶圆。
进一步地,所述动态存储模块包括:动态随机存储器(Dynamic Random AccessMemory,DRAM)晶圆。
进一步地,述动态随机存储模块中还包括:输入输出电路。
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