[发明专利]一种Sense-Switch型pFLASH阵列结构及其制备方法

权利要求书

1.一种Sense-Switch型pFLASH阵列结构，包括若干呈阵列分布的pFLASH开关单元，阵列内的pFLASH开关单元均制备于同一衬底(00)内；每个pFLASH开关单元包括编程/擦除MOS管T1以及与所述编程/擦除MOS管T1呈共浮栅、共控制栅连接配合的信号传输MOS管T2；其特征是：

衬底(00)内的上部设置N阱(01)，每个pFLASH开关单元内编程/擦除MOS管T1的编程/擦除管有源区(22)、信号传输MOS管T2的信号传输管有源区(11)均位于N阱(01)内，编程/擦除管有源区(22)、信号传输管有源区(11)通过N阱(01)内的有源区隔离体(02A)隔离；

在编程/擦除管有源区(22)以及信号传输管有源区(11)上均设置隧道氧化层(03)，在所述隧道氧化层(03)上设有浮栅多晶层(04)，浮栅多晶层(04)覆盖在隧道氧化层(03)以及有源区隔离体(02A)上，在所述浮栅多晶硅层(04)上设有ONO介质层(05)，在所述ONO介质层(05)上设有控制栅多晶层(06)，有源区隔离体(02A)上向外侧延伸的浮栅多晶硅层(04)、ONO介质层(05)以及控制栅多晶层(06)能形成单元体内PIP电容(44)；

对同一行的多个pFLASH开关单元，相邻的两pFLASH开关单元间通过开关单元隔离体(02B)隔离；对同一行的pFLASH开关单元，在设置浮栅多晶层(04)后，对浮栅多晶层(04)进行刻蚀，以得到贯通浮栅多晶层(04)的浮栅腐蚀窗口(33)，所述浮栅腐蚀窗口(33)位于开关单元隔离体(02B)的正上方，ONO介质层(05)覆盖在浮栅多晶层(04)上并填充浮栅腐蚀窗口(33)，与浮栅腐蚀窗口(33)对应的控制栅多晶层(06)填充在浮栅腐蚀窗口(33)内并覆盖在ONO介质层(05)上；开关单元隔离体(02B)上向外侧延伸的浮栅多晶硅层(04)、ONO介质层(05)以及控制栅多晶层(06)能形成单元体间PIP电容(45)。

2.根据权利要求1所述的Sense-Switch型pFLASH阵列结构，其特征是：对每个pFLASH开关单元，在编程/擦除管有源区(22)内设有编程/擦除管P+漏区(14A)以及编程/擦除管P+源区(14B)，在信号传输管有源区(11)内设有信号传输管P+漏区以及信号传输管P+源区；编程/擦除管P+漏区(14A)、编程/擦除管P+源区(14B)分别位于控制栅多晶层(06)的两侧，信号传输管P+漏区、信号传输管P+源区分别位于控制栅多晶层(06)的两侧；

在所述控制栅多晶层(06)的外侧设有侧墙(13)，所述侧墙(13)支撑于隧道氧化层(03)上，且侧墙(08)覆盖浮栅多晶层(04)、ONO介质层(05)以及控制栅多晶层(06)的外侧壁；

在N阱(01)上方设有ILD介质层(08)，所述ILD介质层(08)覆盖在控制栅多晶层(06)、侧墙(08)以及N阱(01)上，在所述ILD介质层(08)上设有金属层(10)，所述金属层包括编程/擦除管金属体以及信号传输管金属体，所述编程/擦除管金属体包括与编程/擦除管P+漏区(14A)欧姆接触的编程/擦除管漏极金属(10A)以及与编程/擦除管P+源区(14B)欧姆接触的编程/擦除管源极金属(10B)，所述信号传输管金属体包括与信号传输管P+漏区欧姆接触的信号传输管漏极金属以及与信号传输管P+源区欧姆接触的信号传输管源极金属。

3.根据权利要求1所述的Sense-Switch型pFLASH阵列结构，其特征是：所述编程/擦除管有源区(22)内设有编程/擦除管漏极PLDD注入区(12A)以及编程/擦除管源极PLDD注入区(12B)，编程/擦除管P+漏区(14A)位于编程/擦除管漏极PLDD注入区(12A)内，编程/擦除管P+源区(14B)位于编程/擦除管源极PLDD注入区(12B)；

在所述信号传输管有源区(11)内设有信号传输管漏极PLDD注入区以及信号传输管源极PLDD注入区，信号传输管P+漏区位于信号传输管漏极PLDD注入区内，信号传输管P+源区位于信号传输管PLDD注入区内。