[发明专利]清洁方法及装置

说明书

一种清洁方法及装置，方法包括将晶圆传送至晶圆卡盘上的位置；经由晶圆卡盘将顶销提升至晶圆；经由顶销的侧壁上的多个第一开口将气体引入晶圆与晶圆卡盘之间的区域；以及降低顶销直至晶圆到达晶圆卡盘为止。

技术领域

本揭露是关于一种清洁方法及装置。

背景技术

半导体元件在执行许多制程之后制成，此些制程为诸如将材料层沉积在晶圆上，图案化已沉积的材料层，以及移除晶圆上的不必要的残留物。为了重复执行此些制程，将晶圆装载于腔室内部的晶圆台上，晶圆经处理，且接着被卸载。为了成功地处理晶圆，重要的是，能够在不在制程中损坏晶圆的情况下将晶圆安装于腔室中的卡盘上以及自卡盘移除晶圆。随着半导体元件变得高度整合，设计规则变得更紧密，且制程容限变得更窄。若晶圆未适当地安装于卡盘上，则遮罩覆盖及加热均质性可能受影响。

发明内容

在本揭露的一些实施例中，一种方法包括将晶圆传送至晶圆卡盘上的位置；经由晶圆卡盘将顶销提升至晶圆；经由顶销的侧壁上的多个第一开口将气体引入晶圆与晶圆卡盘之间的区域；以及降低顶销直至晶圆到达晶圆卡盘为止。

在本揭露的一些实施例中，一种方法包括将晶圆自装载端口传送至顶销上方的位置，其中顶销穿过晶圆卡盘；使用与顶销的第一气体通道气体连通的负压源来支撑晶圆；使用与顶销的第二气体通道气体连通的正压源来吹扫晶圆及晶圆卡盘；以及降低顶销以使得晶圆与晶圆卡盘接触。

在本揭露的一些实施例中，一种装置包括卡盘、顶销、真空源及气源。卡盘具有孔。顶销穿透卡盘的孔，其中顶销包括在顶销的顶表面上的第一开口以及在顶销的侧壁上的第二开口。真空源与第一开口气体连通。气源与第二开口气体连通。

附图说明

当结合附图阅读时得以自以下详细描述最佳地理解本揭露的态样。应注意，根据工业上的标准实务，各种特征并未按比例绘制。实际上，为了论述清楚可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1A为根据本揭示案的一些实施例的晶圆支撑装置的透视图；

图1B为沿着图1A的线B–B的横截面图；

图2A为根据本揭示案的一些实施例的顶销的透视图；

图2B至图2C为图2A的横截面图；

图3为根据本揭示案的一些实施例的用于操作晶圆支撑装置的方法；

图4A至图4G为根据本揭示案的一些实施例的处于操作的各种阶段的晶圆支撑装置；

图5为根据本揭示案的一些实施例的用于操作晶圆支撑装置的方法；

图6A至图6G为根据本揭示案的一些实施例的处于操作的各种阶段的晶圆支撑装置。

具体实施方式

以下揭示内容提供用于实施所提供标的的不同特征的许多不同实施例或实例。以下描述部件及布置的特定实例以简化本揭示内容。当然，此等仅为实例且并不意欲为限定性的。举例而言，在如下描述中第一特征在第二特征之上或在第二特征上形成可包括其中第一特征及第二特征形成为直接接触的实施例，且亦可包括其中额外特征可在第一特征与第二特征之间形成而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭示内容可在各种实例中重复参考标号及/或字母。此重复是出于简化及清楚目的，且其本身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

另外，为了描述简单起见，可在本文中使用诸如“在……之下”、“低于”、“下部”、“在……上方”、“上部”以及其类似术语的空间相对术语，以描述如诸图中所图示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。除了诸图中所描绘的定向以外，此等空间相对术语意欲亦涵盖元件在使用中或操作中的不同定向。装置可以其他方式定向(旋转90度或以其他定向)，且可同样相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。