[发明专利]半导体封装系统

说明书

提供了一种半导体封装系统，所述半导体封装系统包括基板、第一半导体封装件、第二半导体封装件、第一导热层、第一无源器件和热辐射结构。第一半导体封装件、第二半导体封装件和第一无源器件可以安装在基板的顶表面上。第一半导体封装件可以包括第一半导体芯片，第一半导体芯片包括多个逻辑电路。第一导热层可以位于第一半导体封装件上。热辐射结构可以位于第一导热层、第二半导体封装件和第一无源器件上。热辐射结构可以包括第一底表面和第二底表面，第一底表面与第一导热层物理接触，第二底表面所在的水平高度高于第一底表面的水平高度。第二底表面可以位于第二半导体封装件和/或第一无源器件上。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年5月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0055079、于2018年5月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0055081和于2018年9月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0110518的优先权。上述申请中的每件申请的全部内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思涉及半导体封装系统，更具体地，涉及设置有热辐射结构的半导体封装系统。

背景技术

可以提供半导体封装件以实现集成电路芯片，从而获准在电子产品中使用。半导体封装件的速度和容量越高，半导体封装件的功耗就越大。热特性越来越被视为半导体封装件中的重要特征。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了一种具有改善的热特性的封装系统和包括该封装系统的半导体模块。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体封装系统可以包括：基板；安装在所述基板的顶表面上的第一半导体封装件，所述第一半导体封装件包括第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括多个逻辑电路；位于所述第一半导体封装件上的第一导热层；安装在所述基板的所述顶表面上的第二半导体封装件；安装在所述基板的所述顶表面上的第一无源器件；以及位于所述第一导热层、所述第二半导体封装件和所述第一无源器件上的热辐射结构。所述热辐射结构可以包括第一底表面和第二底表面。所述第一底表面可以与所述第一导热层物理接触，所述第二底表面的水平高度可以高于所述第一底表面的水平高度。所述第二底表面可以设置在所述第二半导体封装件上，或设置在所述第一无源器件上，或设置在所述第二半导体封装件和所述第一无源器件两者上。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体封装系统可以包括：基板；安装在所述基板上的第一半导体封装件；安装在所述基板上的第二半导体封装件；安装在所述基板上的无源器件；位于所述第一半导体封装件、所述第二半导体封装件和所述无源器件上的热辐射结构；以及与所述热辐射结构物理接触的多个导热层。所述热辐射结构的第一底表面可以包括沟槽。当从俯视图中看时，所述沟槽可以与所述第二半导体封装件和所述无源器件中的一个或更多个交叠。所述导热层可以包括位于所述第一半导体封装件的顶表面上的第一导热层。所述第一导热层可以比所述多个导热层之中的任何其他导热层薄。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体封装系统可以包括：基板；安装在所述基板上的第一半导体封装件；安装在所述基板上的无源器件；位于所述第一半导体封装件和所述无源器件上的热辐射结构；以及位于所述第一半导体封装件与所述热辐射结构之间的第一导热层。所述无源器件的高度可以等于或大于所述第一半导体封装件的高度与所述第一导热层的高度之和。所述热辐射结构可以包括第一底表面和第二底表面。所述第一底表面可以与所述第一导热层物理接触，所述第二底表面所在的水平高度可以高于所述第一底表面的水平高度。所述热辐射结构的所述第二底表面可以位于所述无源器件上。

附图说明

图1A示出了显示出根据一些示例实施例的封装系统的俯视图。

图1B示出了显示出根据一些示例实施例的封装系统的俯视图。

图1C示出了沿图1A中的线I-II截取的截面图。