[发明专利]感测存储器单元

权利要求书

1.一种装置，其包括：

存储器单元，其经配置以存储逻辑状态；

电容器，其经配置以在读取操作期间对与所述存储器单元相关联的电荷进行积分；

感测组件，其经配置以在所述读取操作期间确定存储在所述存储器单元上的所述逻辑状态；

第一共源共栅，其与所述存储器单元和所述感测组件耦合；以及

第二共源共栅，其与所述电容器和所述感测组件耦合。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一共源共栅和所述第二共源共栅各自与第一节点耦合，所述第一节点与所述感测组件耦合。

3.根据权利要求2所述的装置，其进一步包括：

切换组件，其与所述第一节点和所述感测组件耦合，所述切换组件经配置以在所述读取操作期间选择性耦合所述第一节点与所述感测组件。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二共源共栅经配置以至少部分地基于所述第二共源共栅与所述电容器和所述感测组件耦合而在所述读取操作期间启用感测窗口。

5.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：

切换组件，其与所述电容器和所述第二共源共栅的第二节点耦合，所述切换组件经配置以在所述读取操作期间将所述电容器预充电到第一电压。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二共源共栅经配置以在所述读取操作期间在将所述电荷的至少一部分传送到所述存储器单元之后隔离所述电容器与所述存储器单元。

7.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：

第二电容器，其与第一节点耦合，其中所述第二电容器经配置以在所述电容器与所述存储器单元隔离之后将额外电荷传送到所述存储器单元。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述第二电容器包括所述第一节点处的寄生电容。

9.根据权利要求7所述的装置，其中至少所述第一节点或所述电容器经配置以在所述读取操作的第一部分期间以第一变化率将第一电压放电。

10.根据权利要求9所述的装置，其中至少所述第一节点或所述第二电容器经配置以当所述存储器单元存储第一逻辑状态时在所述读取操作的第二部分期间以第二变化率将第二电压放电，其中所述第二变化率大于所述第一变化率。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述第一变化率和所述第二变化率在所述读取操作期间配置感测窗口。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述存储器单元经配置以当所述存储器单元存储第一逻辑状态时在所述读取操作期间接收第一电荷量，所述第一电荷量大于当所述存储器单元存储第二逻辑状态时接收的第二电荷量。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一共源共栅包括n型金属氧化物半导体NMOS场效应晶体管FET且所述第二共源共栅包括p型金属氧化物半导体PMOS场效应晶体管FET。

14.根据权利要求1所述的装置，其中施加于所述第二共源共栅的栅极的电压源的值和所述第二共源共栅的阈值电压经配置以在所述读取操作期间当所述电荷已从所述电容器传送到所述存储器单元时停用所述第二共源共栅。