[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910328277.X | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110459473B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 上野幸久;田中成明;西井润弥;冈彻 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;王秀辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
层叠工序，在第一n型半导体层层叠p型半导体层；
离子注入工序，在与所述p型半导体层的表面形成有槽部的位置分离的位置，离子注入n型杂质或p型杂质；
热处理工序，通过热处理，形成使被离子注入的所述杂质活化的注入区域，且使所述p型半导体层所包含的p型杂质扩散至位于所述注入区域的下方的所述第一n型半导体层，从而形成p型杂质扩散区域；
槽部形成工序，贯通所述p型半导体层形成底部位于所述第一n型半导体层内的所述槽部；
第一电极形成工序，在所述槽部的表面隔着绝缘膜形成第一电极；
在所述离子注入工序之后，将第二n型半导体层从所述p型半导体层的表面形成有所述槽部的位置形成到至少所述注入区域的工序；以及
形成与所述第二n型半导体层导通的第二电极的第二电极形成工序，
所述第二电极是单个电极，形成为经由所述第二n型半导体层的接触孔与所述p型半导体层或者所述注入区域接触，而作为源电极和体电极发挥作用。
2.一种半导体装置，其特征在于，包括：
层叠体，在第一n型半导体层层叠p型半导体层而成；
槽部，贯通所述p型半导体层且底部位于所述第一n型半导体层内；
杂质注入区域，在与形成有所述槽部的位置分离的位置，从所述p型半导体层的表面遍及所述p型半导体层的内侧而形成，杂质浓度与所述p型半导体层不同；
p型半导体区域，在位于所述杂质注入区域的下方的所述第一n型半导体层形成；
第一电极，隔着绝缘膜形成于所述槽部的表面；
第二n型半导体层，从所述p型半导体层的表面形成有所述槽部的位置直到至少所述杂质注入区域；以及
第二电极，与所述第二n型半导体层导通，
所述第二电极是单个电极，形成为经由所述第二n型半导体层的接触孔与所述p型半导体层或者所述注入区域接触，而作为源电极和体电极发挥作用。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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