[发明专利]OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板

说明书

一种OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板，包括玻璃基板、第一底栅极、光遮光层、缓冲层、第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一顶栅极、第二顶栅极、层间绝缘层、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、钝化层、平坦化层、像素电极、像素定义层、OLED发光器件以及阴极金属层；第二金属层经由过孔与所述第一底栅极相接触，所述第二源极经由另一过孔与所述光遮挡层相接触。

技术领域

本发明涉及显示驱动技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板。

背景技术

随着平面显示领域的发展，面板显示越来越趋于高频率、高解析度特性，对面板驱动就提出更高的要求。目前AMOLED(有源矩阵发光二极体面板)显示器的像素驱动电路通常采用TFT(薄膜晶体管)阵列基板，与非晶体相比，其载流子浓度是非晶硅的十倍。现有技术发现，TFT阵列基板采用双栅极氧化物半导体薄膜晶体管相比单栅极氧化物半导体薄膜晶体管具有更优的性能，如电子迁移率高，开态电流较大、亚阈值摆幅更小、阈值电压的稳定性及均匀性更好、栅极偏压及照光稳定性更好等。然而，其不容易达到饱和电流，用作驱动TFT需求的电压较高，不利于实际使用。

综上所述，现有的OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板，由于在像素驱动电路中采用双栅极氧化物半导体薄膜晶体管结构时，像素驱动电路难以达到饱和电流，导致像素驱动电压较大，进一步影响了OLED显示装置的工作稳定性。

发明内容

本发明提供一种OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板，能够在像素驱动电路中采用双栅极氧化物半导体薄膜晶体管结构时加速达到饱和电流，以解决现有的OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板，由于在像素驱动电路中采用双栅极氧化物半导体薄膜晶体管结构时，像素驱动电路难以达到饱和电流，导致像素驱动电压较大，进一步影响了OLED显示装置的工作稳定性的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种OLED显示面板的制备方法，所述方法包括：

S10，提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上沉积底栅金属层，通过一道光罩制程对所述底栅金属层进行图案化处理，形成间隔设置的第一底栅极以及光遮挡层；

S20，在所述第一底栅极、所述光遮挡层以及所述玻璃基板上沉积缓冲层；

S30，在所述缓冲层上沉积氧化物半导体层，通过一道光罩制程对所述氧化物半导体层进行图案化处理，得到分别位于所述第一底栅极、所述光遮挡层上方的第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层；

S40，在所述缓冲层上依次沉积栅极绝缘层以及第一金属层，通过一道光罩制程对所述栅极绝缘层以及所述第一金属层进行图案化处理，得到第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一顶栅极以及第二顶栅极；

S50，在所述栅极绝缘层、所述第一金属层以及所述缓冲层上沉积层间绝缘层，分别通过两道光罩制程对所述层间绝缘层以及所述缓冲层进行挖孔处理，形成分别位于所述第一氧化物半导体层两侧上方的第一过孔、位于所述第二氧化物半导体层两侧上方的第二过孔、位于所述第一底栅极上方并暴露出部分所述第一底栅极的第三过孔、位于所述光遮光层上方并暴露出部分所述光遮光层的第四过孔；

S60，在所述层间绝缘层上沉积第二金属层，通过一道光罩制程对所述第二金属层进行图案化处理，分别得到位于所述第一顶栅极两侧的第一源极和第一漏极以及位于所述第二顶栅极两侧的第二源极和第二漏极；

S70，在所述层间绝缘层以及所述第二金属层上依次制备钝化层、平坦化层、像素电极、像素定义层、OLED发光器件以及阴极金属层，所述像素电极位于所述平坦化层上并与所述第二漏极相接触，最后制得所述OLED显示面板。

根据本发明一优选实施例，所述S30中采用物理气相沉积法沉积所述第一氧化物半导体层以及所述第二氧化物半导体层。