[发明专利]OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板

权利要求书

1.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

S10，提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上沉积底栅金属层，通过一道光罩制程对所述底栅金属层进行图案化处理，形成间隔设置的第一底栅极以及光遮挡层；

S20，在所述第一底栅极、所述光遮挡层以及所述玻璃基板上沉积缓冲层；

S30，在所述缓冲层上沉积氧化物半导体层，通过一道光罩制程对所述氧化物半导体层进行图案化处理，得到分别位于所述第一底栅极、所述光遮挡层上方的第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层；

S40，在所述缓冲层上依次沉积栅极绝缘层以及第一金属层，通过一道光罩制程对所述栅极绝缘层以及所述第一金属层进行图案化处理，得到第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一顶栅极以及第二顶栅极；

S50，在所述栅极绝缘层、所述第一金属层以及所述缓冲层上沉积层间绝缘层，分别通过两道光罩制程对所述层间绝缘层以及所述缓冲层进行挖孔处理，形成分别位于所述第一氧化物半导体层两侧上方的第一过孔、位于所述第二氧化物半导体层两侧上方的第二过孔、位于所述第一底栅极上方并暴露出部分所述第一底栅极的第三过孔、位于所述光遮挡层上方并暴露出部分所述光遮挡层的第四过孔；

S60，在所述层间绝缘层上沉积第二金属层，通过一道光罩制程对所述第二金属层进行图案化处理，分别得到位于所述第一顶栅极两侧的第一源极和第一漏极以及位于所述第二顶栅极两侧的第二源极和第二漏极；

其中，所述第一源极与所述第一漏极分别经由所述第一过孔与所述第一氧化物半导体层的两侧区域相接触，所述第二金属层经由所述第三过孔与所述第一底栅极相接触，所述第二源极与所述第二漏极分别经由所述第二过孔与所述第二氧化物半导体层的两侧区域相接触，所述第二源极经由所述第四过孔与所述光遮挡层相接触；

S70，在所述层间绝缘层以及所述第二金属层上依次制备钝化层、平坦化层、像素电极、像素定义层、OLED发光器件以及阴极金属层，所述像素电极位于所述平坦化层上并与所述第二漏极相接触，最后制得所述OLED显示面板；其中，所述OLED显示面板还包括开关TFT以及驱动TFT，所述开关TFT为双栅极结构，所述开关TFT还包括所述第一底栅极、所述缓冲层、所述第一氧化物半导体层、所述第一顶栅极、所述第一源极以及所述第一漏极；所述驱动TFT为顶栅TFT结构，所述驱动TFT还包括所述光遮光层、所述缓冲层、所述第二氧化物半导体层、所述第二顶栅极、所述第二源极以及所述第二漏极。

2.根据权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述S30中采用物理气相沉积法沉积所述第一氧化物半导体层以及所述第二氧化物半导体层。

3.根据权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述S30中，所述第一氧化物半导体层以及所述第二氧化物半导体层的材料为IGZO或IZTO。

4.根据权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述S40还包括：

S401，对所述第一氧化物半导体层的两侧区域和所述第二氧化物半导体层的两侧区域进行离子掺杂，使所述第一氧化物半导体层的两侧区域以及所述第二氧化物半导体层的两侧区域转变为导体。

5.根据权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一底栅极、所述光遮挡层、所述第一金属层以及所述第二金属层的材料为钼、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。

6.根据权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述缓冲层以及所述层间绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅或二者的组合。