[发明专利]反射式主动元件阵列基板及其制作方法与反射式显示设备

权利要求书

1.一种反射式主动元件阵列基板，包括：

基板；

多个主动元件，分散地配置于所述基板上；

保护层，配置于所述基板上，且覆盖所述多个主动元件，其中所述保护层具有多个开口，且所述多个开口的每一个分别暴露出相对应的所述多个主动元件的每一个的源极或漏极；以及

多个金属氧化物导体层，配置于所述基板上，且覆盖所述保护层，其中所述多个金属氧化物导体层的每一个通过对应的所述多个开口的每一个与相对应的所述多个主动元件的每一个的所述源极或所述漏极电性连接。

2.根据权利要求1所述的反射式主动元件阵列基板，其中所述多个金属氧化物导体层的每一个的材质包括氧化钼、氧化钼铌、氧化钽或氧化铝。

3.根据权利要求1所述的反射式主动元件阵列基板，其中所述多个主动元件的每一个包括：

栅极，配置于所述基板上；

半导体通道层；

栅绝缘层，覆盖所述栅极，且位于所述栅极与所述半导体通道层之间；以及

所述源极与所述漏极，配置于所述半导体通道层的同一侧，且暴露出部分所述半导体通道层。

4.一种反射式主动元件阵列基板的制作方法，包括：

提供阵列基板，所述阵列基板包括基板、多个主动元件以及保护层，其中所述多个主动元件分散地形成在所述基板上，而所述保护层形成在所述基板上且覆盖所述多个主动元件，所述保护层具有多个开口，而所述多个开口的每一个分别暴露出相对应的所述多个主动元件的每一个的源极或漏极；

将所述阵列基板移至反应腔室内，其中所述反应腔室设置有金属靶材；以及

将反应气体通入所述反应腔室，以与所述金属靶材进行化学反应，而在所述阵列基板上形成多个金属氧化物导电层，其中所述多个金属氧化物导体层覆盖所述保护层，且所述多个金属氧化物导体层通过对应的所述多个开口的每一个与相对应的所述多个主动元件的每一个的所述源极或所述漏极电性连接。

5.根据权利要求4所述的反射式主动元件阵列基板的制作方法，其中所述金属靶材包括钼、钼铌、钽或铝，而所述反应气体包括氧。

6.根据权利要求4所述的反射式主动元件阵列基板的制作方法，其中所述多个主动元件的每一个包括：

栅极，配置于所述基板上；

半导体通道层；

栅绝缘层，覆盖所述栅极，且位于所述栅极与所述半导体通道层之间；以及

所述源极与所述漏极，配置于所述半导体信道层的同一侧，且暴露出部分所述半导体通道层。

7.一种反射式显示设备，包括：

反射式主动元件阵列基板，包括：

基板；

多个主动元件，分散地配置于所述基板上；

保护层，配置于所述基板上，且覆盖所述多个主动元件，其中所述保护层具有多个开口，且所述多个开口的每一个分别暴露出相对应的所述多个主动元件的每一个的源极或漏极；以及

多个金属氧化物导体层，配置于所述基板上，且覆盖所述保护层，其中所述多个金属氧化物导体层的每一个通过对应的所述多个开口的每一个与相对应的所述多个主动元件的每一个的所述源极或所述漏极电性连接；以及

电泳显示薄膜，配置于所述反射式主动元件阵列基板上。

8.根据权利要求7所述的反射式显示设备，其中所述多个金属氧化物导体层的每一个的材质包括氧化钼、氧化钼铌、氧化钽或氧化铝。

9.根据权利要求7所述的反射式显示设备，其中所述多个主动元件的每一个包括：

栅极，配置于所述基板上；

半导体通道层；

栅绝缘层，覆盖所述栅极，且位于所述栅极与所述半导体通道层之间；以及

所述源极与所述漏极，配置于所述半导体信道层的同一侧，且暴露出部分所述半导体通道层。

10.根据权利要求7所述的反射式显示设备，其中所述电泳显示薄膜包括：

可挠性基材；

透明导电层，配置于所述可挠性基材上，且位于所述反射式主动元件阵列基板与所述可挠性基材之间；以及

显示介质层，配置于所述可挠性基材上，且位于所述反射式主动元件阵列基板与所述透明导电层之间，所述显示介质层包括多个显示介质，所述多个显示介质的每一个包括电泳液以及分布于所述电泳液中的多个带电粒子。