[发明专利]一种沉积多晶硅薄膜的方法

权利要求书

1.一种沉积多晶硅薄膜的方法，包括：

对于进行过多晶硅沉积的腔体，将该腔体加热到第一预定温度，并向该腔体内通入氮气；以及

将第一衬底放置于所述腔体内，将所述腔体加热到第二预定温度，并向该腔体内通入硅烷气体，以在所述第一衬底表面沉积第一多晶硅薄膜，

所述第一预定温度高于所述第二预定温度，

所述第一预定温度高于620℃，

维持所述腔体的温度在第一预定温度，并向所述腔体内通入氮气的时间为1～3小时。

2.如权利要求1所述的方法，其中，

通入氮气的流量为大于1.5slm。

3.如权利要求1所述的方法，其中，

在将该腔体加热到第一预定温度，并向该腔体内通入氮气之前，所述方法还包括：

将第二衬底放置于所述腔体内，将所述腔体加热到第三预定温度，并向该腔体内通入硅烷气体，以在所述第二衬底表面沉积第二多晶硅薄膜。

4.如权利要求3所述的方法，其中，

所述第三预定温度与所述第二预定温度相同或不同。