[发明专利]半导体结构及半导体工艺方法

说明书

本发明提供一种半导体结构及半导体工艺方法，半导体工艺方法包括如下步骤：提供晶圆；于晶圆上形成介质层；对介质层进行刻蚀，以于介质层内形成刻蚀通孔；于刻蚀通孔内形成金属互连层；于介质层的上表面及金属互连层的上表面形成保护层；对晶圆进行切边处理。本发明的半导体工艺方法在对晶圆进行切边处理之前执行光刻刻蚀工艺形成刻蚀通孔，并在刻蚀通孔内形成金属互连层，在对晶圆进行切边处理后不再执行光刻工艺，在晶圆切边处理后形成的切角处不会有光刻胶残留，从而避免缺陷的产生，提高产品的良率；同时，在对晶圆进行切边处理之前无需对刻蚀通孔进行回填，从而简化了生成工艺，提高了生产效率，节约了生产成本。

技术领域

本发明属于集成电路设计及制造技术领域，特别是涉及一种半导体结构及半导体工艺方法。

背景技术

在现有的一些半导体工艺中需要对晶圆进行切边(Trim)处理，譬如，在对两片晶圆进行键合之前需要将其中一片晶圆进行切边处理，以保证两片所述晶圆键合完成后在对键合结构进行减薄的过程中不会出现剥离(Peeling)现象。然后，由于做完切片处理的晶圆在晶圆的边缘区域会存在一个直角台阶，所述直角台阶的存在使得在后续对所述晶圆进行光刻工艺的光刻胶(PR)旋涂过程中会导致所述光刻胶在所述直角台阶处堆积，所述直角台阶处所述光刻胶堆积的高度为正常区域内所述光刻胶厚度的数倍甚至十倍以上，该处异常厚度的光刻胶在刻蚀工艺后不能被完全去除，会残留在所述直角台阶处，而残留的所述光刻胶会在后续工艺中造成缺陷，从而影响产品的良率。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体结构及半导体工艺方法，用于解决现有技术中在对晶圆进行光刻刻蚀工艺之前即对晶圆进行切边处理而导致的光刻胶容易在晶圆边缘的直角台阶处残留，从而在后续工艺中造成缺陷，影响产品的良率的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种半导体工艺方法，所述半导体工艺方法包括如下步骤：

提供晶圆；

于所述晶圆上形成介质层；

对所述介质层进行刻蚀，以于所述介质层内形成刻蚀通孔；

于所述刻蚀通孔内形成金属互连层；

于所述介质层的上表面及所述金属互连层的上表面形成保护层；及

对所述晶圆进行切边处理。

可选地，所述晶圆内形成有芯片及所述芯片的后端连线，所述晶圆的上表面还形成有阻挡保护层，所述介质层位于所述阻挡保护层的上表面；所述刻蚀通孔贯穿所述介质层及所述阻挡保护层，以暴露出所述后端连线。

可选地，对所述介质层进行的刻蚀为将所述晶圆进行键合前的最后一次刻蚀。

可选地，于所述介质层的上表面及所述金属互连层的上表面形成氧化物层、氮化物层及氮氧化物层中的至少一种作为所述保护层。

可选地，对所述晶圆进行切边处理之后还包括去除所述保护层的步骤。

可选地，所述金属互连层形成于所述刻蚀通孔内的同时形成于所述介质层的上表面；去除所述保护层的同时去除位于所述介质层的上表面的所述金属互连层。

可选地，形成金属互连层包括如下步骤：

于所述刻蚀通孔的侧壁及所述介质层的上表面形成金属阻挡层；

于所述金属阻挡层的表面及所述刻蚀通孔的底部形成金属种子层，所述金属种子层自所述刻蚀通孔的底部经由所述刻蚀通孔的侧壁延伸至所述介质层上；及

于所述金属种子层的表面形成导电层，所述导电层填满所述刻蚀通孔且延伸至所述介质层上。

可选地，通过平坦化方法去除所述保护层及位于所述介质层的上表面的所述金属互连层。