[发明专利]半导体结构及半导体工艺方法

权利要求书

1.一种半导体工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供晶圆；

于所述晶圆上形成介质层；

对所述介质层进行刻蚀，以于所述介质层内形成刻蚀通孔；

于所述刻蚀通孔内形成金属互连层；

于所述介质层的上表面及所述金属互连层的上表面形成保护层；及

对所述晶圆进行切边处理；

其中，所述晶圆内形成有芯片及所述芯片的后端连线，所述晶圆的上表面还形成有阻挡保护层，所述介质层位于所述阻挡保护层的上表面；所述刻蚀通孔贯穿所述介质层及所述阻挡保护层，以暴露出所述后端连线。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，对所述介质层进行的刻蚀为将所述晶圆进行键合前的最后一次刻蚀。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，于所述介质层的上表面及所述金属互连层的上表面形成氧化物层、氮化物层及氮氧化物层中的至少一种作为所述保护层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体工艺方法，其特征在于，对所述晶圆进行切边处理之后还包括去除所述保护层的步骤。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述金属互连层形成于所述刻蚀通孔内的同时形成于所述介质层的上表面；去除所述保护层的同时去除位于所述介质层的上表面的所述金属互连层。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺方法，其特征在于：形成金属互连层包括如下步骤：

于所述刻蚀通孔的侧壁及所述介质层的上表面形成金属阻挡层；

于所述金属阻挡层的表面及所述刻蚀通孔的底部形成金属种子层，所述金属种子层自所述刻蚀通孔的底部经由所述刻蚀通孔的侧壁延伸至所述介质层上；及

于所述金属种子层的表面形成导电层，所述导电层填满所述刻蚀通孔且延伸至所述介质层上。

7.根据权利要求5所述的半导体工艺方法，其特征在于：通过平坦化方法去除所述保护层及位于所述介质层的上表面的所述金属互连层。

8.一种半导体结构，其特征在于，包括：

晶圆；

介质层，位于所述晶圆上，所述介质层内形成有刻蚀通孔；

金属互连层，位于所述刻蚀通孔内；及

切角，位于所述晶圆的边缘区域，所述切角在所述金属互连层之后形成；

其中，所述晶圆内形成有芯片及所述芯片的后端连线，所述半导体结构还包括阻挡保护层，所述阻挡保护层位于所述晶圆的上表面，所述介质层位于所述阻挡保护层的上表面；所述刻蚀通孔贯穿所述介质层及所述阻挡保护层，以暴露出所述后端连线。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于：所述半导体结构还包括保护层，在所述切角形成之前所述保护层覆盖所述介质层的上表面及所述金属互连层的上表面，在所述切角形成之后，所述保护层被去除。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于：所述保护层包括氧化物层、氮化物层及氮氧化物层中的至少一种。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的半导体结构，其特征在于：所述金属互连层包括：

金属阻挡层，位于所述刻蚀通孔的侧壁上；

金属种子层，位于所述金属阻挡层的表面及所述刻蚀通孔的底部；及

导电层，位于所述金属种子层的表面，所述导电层填满所述刻蚀通孔。