[发明专利]一种结构梯度变化的多孔超疏水膜制备方法

权利要求书

1.一种结构梯度变化的多孔超疏水膜制备方法，其特征在于，步骤如下：

（1）利用等离子体技术改性基膜，增大膜孔隙率；

（1.1）将基膜固定于等离子体表面处理仪的托载板上，调整托载板与等离子体发生器平行；

（1.2）打开等离子体表面处理仪开关，选择自动模式，并设定工艺参数：射频功率为10-150W，气体流量为0-1000cc/min，基膜处理时间为1-5 min，真空度为60-600Pa，通入含有氨气的气体，最后点击“Run”按钮，运行等离子体发生装置，即完成一次处理，然后密封保存；

（2）分别采用涂覆法和原位溶胶凝胶法制备微米级和纳米级结构梯度变化的复合膜；

（2.1）取微米二氧化硅颗粒超声分散乙醇溶液中，将等离子体改性后的基膜浸入上述溶液中进行涂覆，取出后干燥，形成具有微米结构的复合膜；

（2.2）配制不同浓度的二氧化硅溶胶，将具有微米结构的复合膜浸入二氧化硅溶胶中，在复合膜表面和微米二氧化硅颗粒表面原位均匀生成纳米级二氧化硅颗粒，取出后干燥，形成具有微/纳梯度结构的复合膜；微米级二氧化硅颗粒粒径为100-600nm，纳米级二氧化硅颗粒粒径为10-50nm；

（3）利用低表面能物质的表面化学反应修饰得到超疏水膜。

2.根据权利要求1所述的结构梯度变化的多孔超疏水膜制备方法，其特征在于，所述的基膜为中空纤维、平板或管式的有机膜，包括PTFE、PVDF、PEI、PVA、PVC、PVF、PE、PP、PI、PU、CA。

3.根据权利要求1或2所述的结构梯度变化的多孔超疏水膜制备方法，其特征在于，所述的微米级二氧化硅颗粒的制备方法如下：按正硅酸乙酯：无水乙醇：氨水＝1:11:1～1:11:8的质量比混合；先将无水乙醇和催化剂氨水磁力搅拌至混合均匀，然后加入正硅酸乙酯，快速搅拌，静置离心得到微米级二氧化硅颗粒。

4.根据权利要求1或2所述的结构梯度变化的多孔超疏水膜制备方法，其特征在于，所述的二氧化硅溶胶的制备方法如下：按正硅酸乙酯：无水乙醇：氨水：＝1:10:2.4～1:50:2.4的摩尔比混合；先将氨水和无水乙醇磁力搅拌至混合均匀，然后逐滴加入正硅酸乙酯，得到二氧化硅溶胶。

5.根据权利要求3所述的结构梯度变化的多孔超疏水膜制备方法，其特征在于，所述的二氧化硅溶胶的制备方法如下：按正硅酸乙酯：无水乙醇：氨水：＝1:10:2.4～1:50:2.4的摩尔比混合；先将氨水和无水乙醇磁力搅拌至混合均匀，然后逐滴加入正硅酸乙酯，得到二氧化硅溶胶。