[发明专利]动态随机存取存储器

说明书

本发明提供一种动态随机存取存储器，包括：基底、多个晶体管、多个位线组、多个导电结构以及多个字线组。多个晶体管阵列排列于基底上，各个晶体管由下至上依序包括第一导电层、第二导电层以及第三导电层。多个位线组沿Y方向平行配置于基底上且穿过多个晶体管，各个位线组包括第一位线以及第二位线分别与各个晶体管的第一导电层电性连接。多个导电结构位于多个晶体管中，导电结构与晶体管的第二导电层以及基底电性连接。多个字线组沿X方向平行配置于基底上，各个字线组包括第一字线以及第二字线分别位于各个晶体管的侧壁上。

技术领域

本发明涉及一种存储器，尤其涉及一种动态随机存取存储器。

背景技术

在4F²阵列排列的动态随机存取存储器中，具有埋入式字线的垂直式晶体管与堆叠在其上的电容器构成存储单元区域，这类垂直式晶体管的结构却会产生浮体效应(floating body effect)，进而导致阈值电压浮动、记忆效应或迟滞效应等问题，故会降低产品的可靠度。

发明内容

本发明提供一种动态随机存取存储器，包括：基底、多个晶体管、多个位线、多个导电结构以及多个字线。多个晶体管阵列排列于基底上，各个晶体管由下至上依序包括第一导电层、第二导电层以及第三导电层。多个位线沿Y方向平行配置于基底上且与各个晶体管的第一导电层电性连接。多个导电结构位于多个晶体管中，各个导电结构与各个晶体管的第二导电层以及基底电性连接。多个字线沿X方向平行配置于基底上，各个字线包覆各个晶体管的侧壁。

基于上述，在本发明的动态随机存取存储器中，通过在垂直式晶体管中形成导电结构，使垂直式晶体管中的第二导电层与基底电性连接，故可将聚集于第二导电层中的电荷导出，进而改善垂直式晶体管的结构所产生的浮体效应。因此，本发明的动态随机存取存储器可避免浮体效应所导致的阈值电压浮动、记忆效应或迟滞效应等问题发生，以提升整体产品的可靠度。

附图说明

图1为本发明一实施例的动态随机存取存储器的立体示意图。

图2A至图2K为沿图1线段A-A’的制造流程的剖面示意图。

图2L至图2O为沿图1线段B-B’以及线段C-C’的制造流程的剖面示意图。

图3至图7为本发明一些实施例的动态随机存取存储器的剖面示意图。

图8为本发明另一实施例的动态随机存取存储器的立体示意图。

【符号说明】

10、20：动态随机存取存储器

11：存储单元

12、22：晶体管

14、24：电容器

100、200、300、400：基底

102、202、202a、302、218、218a、219、241、241a、241b、402：绝缘层

112、212、212a、212b、212c、212d、212e、312、412：第一导电层

114、214、214a、214b、214c、314、414：第二导电层

116、216、216a、216b、216c、316、416：第三导电层

120、320：位线组

120a、120b、220a、420：位线

130、230a、330、430、530、630、730、830：导电结构

140：字线组

140a、140b、440：字线