[发明专利]动态随机存取存储器

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器，包括：

基底；

多个晶体管，阵列排列于所述基底上，各所述多个晶体管由下至上依序包括第一导电层、第二导电层以及第三导电层；

多个位线组，沿Y方向延伸并在与所述Y方向垂直的X方向上彼此平行地配置于所述基底上且穿过所述多个晶体管，各所述多个位线组包括第一位线以及第二位线分别与各所述多个晶体管的所述第一导电层电性连接；

多个导电结构，位于所述多个晶体管中，各所述多个导电结构与各所述多个晶体管的所述第二导电层以及所述基底电性连接；以及

多个字线组，沿所述X方向延伸并在所述Y方向上彼此平行地配置于所述基底上，各所述多个字线组包括第一字线以及第二字线分别位于各所述多个晶体管的侧壁上。

2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中所述第一导电层与所述第三导电层具有第一导电型，所述第二导电层与所述导电结构具有第二导电型。

3.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中各所述多个导电结构与各所述多个晶体管的所述第二导电层具有至少一接触面。

4.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中各所述多个导电结构的顶面与各所述多个晶体管的所述第三导电层的顶面共平面。

5.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中各所述多个导电结构的顶面与各所述多个晶体管的所述第二导电层的顶面共平面。

6.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中各所述多个导电结构的顶面与各所述多个晶体管的所述第一导电层的顶面共平面。

7.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中在所述X方向上，各所述多个晶体管具有第一宽度，各所述多个导电结构的顶面具有第二宽度，各所述多个导电结构的底面具有第三宽度，其中所述第一宽度大于所述第二宽度，所述第一宽度大于所述第三宽度，所述第二宽度与所述第三宽度相同或不相同。

8.一种动态随机存取存储器，包括：

基底；

多个晶体管，阵列排列于所述基底上，各所述多个晶体管由下至上依序包括第一导电层、第二导电层以及第三导电层；

多个位线，沿Y方向延伸并在与所述Y方向垂直的X方向上彼此平行地配置于所述基底上且与各所述多个晶体管的所述第一导电层电性连接；

多个导电结构，位于所述多个晶体管中，各所述多个导电结构与各所述多个晶体管的所述第二导电层以及所述基底电性连接；以及

多个字线，沿所述X方向延伸并在所述Y方向上彼此平行地配置于所述基底上，各所述多个字线包覆各所述多个晶体管的侧壁。

9.根据权利要求8所述的动态随机存取存储器，其中所述第一导电层与所述第三导电层具有第一导电型，所述第二导电层与所述导电结构具有第二导电型。

10.根据权利要求8所述的动态随机存取存储器，其中各所述多个导电结构与各所述多个晶体管的所述第二导电层具有至少一接触面。