[发明专利]带剥离装置在审
申请号: | 201910316551.1 | 申请日: | 2019-04-19 |
公开(公告)号: | CN110416114A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 伊藤史哲;藤谷凉子 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 剥离带 保护带 晶片 剥离装置 粘贴 夹持单元 晶片剥离 剥离区域 粘贴单元 工作台 夹持 剥离 气体喷射单元 按压 气体喷射 移动单元 中心喷射 上表面 移动 | ||
提供带剥离装置,在短时间内良好地将保护带从晶片剥离。带剥离装置在粘贴于晶片(W)的一个面上的保护带(51)上粘贴剥离带(54)并拉拽剥离带而将保护带从晶片剥离,该带剥离装置构成为具有:剥离带粘贴单元(31),其将剥离带按压至保持工作台(11)上的晶片的保护带的上表面上而进行粘贴;夹持单元(25),其对剥离带粘贴单元所粘贴的剥离带的一端进行夹持;移动单元(37),其通过夹持单元和保持工作台的相对的移动而将保护带从晶片剥离;以及气体喷射单元(46),其从保护带从晶片被剥离的前端剥离区域朝向晶片的中心喷射气体,在通过夹持单元夹持着剥离带的状态下,通过朝向前端剥离区域的气体喷射而将保护带的一部分从晶片的一个面剥离。
技术领域
本发明涉及将粘贴于晶片的保护带剥离的带剥离装置。
背景技术
在对形成有器件的晶片进行磨削时,为了保护器件而在晶片的正面上粘贴保护带。在晶片的磨削之后,在晶片的保护带上粘贴带状的剥离带而借助剥离带将保护带从晶片撕下(例如,参照专利文献1、2)。专利文献1记载的剥离带通过剥离带的整个背面上所涂布的粘接糊而粘贴在保护带上。专利文献2记载的剥离带是热压接带,在加热状态下将抵接部件按压至保护带,从而利用抵接部分将热压接带粘贴在保护带上。
专利文献1:日本特开2012-028478号公报
专利文献2:日本特许第5918928号公报
但是,存在如下的问题:当对热压接带进行拉拽而将保护带从晶片剥离时,需要在将剥离带折返90°以上的状态下低速剥离,将保护带从晶片剥离需要较长的时间。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的之一在于提供带剥离装置,能够在短时间内良好地将保护带从晶片剥离。
本发明的一个方式的带剥离装置在粘贴于晶片的一个面上的保护带上粘贴剥离带并拉拽该剥离带而将该保护带从晶片剥离,其特征在于,该带剥离装置具有:保持工作台,其对晶片的另一个面侧进行保持;剥离带粘贴单元,其利用按压部将该剥离带按压至该保持工作台所保持的晶片的该保护带的上表面上而进行粘贴;夹持单元,其对该剥离带粘贴单元所粘贴的该剥离带的一端进行夹持;移动单元,其使该夹持单元和该保持工作台相对地移动而将该剥离带从晶片的外侧朝向中心进行拉拽,从而将该保护带从晶片剥离;以及气体喷射单元,其将气体喷射口定位成与该保护带通过紧挨着晶片外周缘粘贴的该剥离带而从晶片剥离的前端剥离区域对置,该气体喷射单元配设在晶片的外侧,从该前端剥离区域朝向晶片中心喷射气体,在该夹持单元夹持着该剥离带的状态下,从该前端剥离区域起通过该气体喷射单元的气体喷射将该保护带的一部分从晶片的该一个面剥离,接着对该剥离带进行拉拽而将该保护带从晶片剥离。
根据该结构,气体喷射单元的气体喷射口朝向保护带从晶片的外周缘剥离的前端剥离区域。通过夹持单元对剥离带进行夹持而形成前端剥离区域,朝向晶片的中心喷射气体,从而气体从前端剥离区域进入至晶片的一个面与保护带的粘贴面之间而将保护带的一部分剥离。在晶片的一个面与保护带的粘贴面之间形成气体层,因此在剥离开始时晶片不会随着保护带的卷起而被提起。由此,即使提高剥离速度,也不会使晶片破损,能够在短时间内良好地将保护带从晶片剥离。
在本发明的一个方式的带剥离装置中,该气体喷射单元间歇地喷射气体直至至少从该前端剥离区域起至晶片中心为止的这一半的该保护带剥离为止。
在本发明的一个方式的带剥离装置中,晶片在由分割预定线划分的区域内形成有多个器件,该晶片在已沿着该分割预定线被分割而单片化的状态下粘贴在该保护带上,沿着相对于该分割预定线非平行地进行剥离的方向粘贴该剥离带,该气体喷射单元按照与该分割预定线非平行的方式喷射气体。
在本发明的一个方式的带剥离装置中,该气体喷射单元是离子发生器。
根据本发明,气体喷射单元的气体喷射口朝向前端剥离区域,因此通过一边朝向晶片的中心喷送气体一边进行剥离,能够在短时间内良好地将保护带从晶片剥离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造