[发明专利]带剥离装置在审
| 申请号: | 201910316551.1 | 申请日: | 2019-04-19 |
| 公开(公告)号: | CN110416114A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
| 发明(设计)人: | 伊藤史哲;藤谷凉子 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 剥离带 保护带 晶片 剥离装置 粘贴 夹持单元 晶片剥离 剥离区域 粘贴单元 工作台 夹持 剥离 气体喷射单元 按压 气体喷射 移动单元 中心喷射 上表面 移动 | ||
1.一种带剥离装置,其在粘贴于晶片的一个面上的保护带上粘贴剥离带并拉拽该剥离带而将该保护带从晶片剥离,其特征在于,
该带剥离装置具有:
保持工作台,其对晶片的另一个面侧进行保持;
剥离带粘贴单元,其利用按压部将该剥离带按压至该保持工作台所保持的晶片的该保护带的上表面上而进行粘贴;
夹持单元,其对该剥离带粘贴单元所粘贴的该剥离带的一端进行夹持;
移动单元,其使该夹持单元和该保持工作台相对地移动而将该剥离带从晶片的外侧朝向中心进行拉拽,从而将该保护带从晶片剥离;以及
气体喷射单元,其将气体喷射口定位成与该保护带通过紧挨着晶片外周缘粘贴的该剥离带而从晶片剥离的前端剥离区域对置,该气体喷射单元配设在晶片的外侧,从该前端剥离区域朝向晶片中心喷射气体,
在该夹持单元夹持着该剥离带的状态下,从该前端剥离区域起通过该气体喷射单元的气体喷射将该保护带的一部分从晶片的该一个面剥离,接着对该剥离带进行拉拽而将该保护带从晶片剥离。
2.根据权利要求1所述的带剥离装置,其特征在于,
该气体喷射单元间歇地喷射气体直至至少从该前端剥离区域起至晶片中心为止的这一半的该保护带剥离为止。
3.根据权利要求1或2所述的带剥离装置,其特征在于,
晶片在由分割预定线划分的区域内形成有多个器件,该晶片在已沿着该分割预定线被分割而单片化的状态下粘贴在该保护带上,
沿着相对于该分割预定线非平行地进行剥离的方向粘贴该剥离带,
该气体喷射单元按照与该分割预定线非平行的方式喷射气体。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的带剥离装置,其特征在于,
该气体喷射单元是离子发生器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910316551.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板处理装置及程序介质
- 下一篇:用于监测隔振基座的系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





