[发明专利]气体输送系统、半导体设备和气体输送方法

说明书

本发明提供一种气体输送系统和半导体设备，可以利用第一回收管路和回收装置，使通入进气管路中的、流量不稳定的工艺气体进入回收装置，以使回收装置溶解或吸附工艺气体中的前驱物。本发明还提供一种气体输送方法，先使工艺气体经第一回收管路进入回收装置，以使回收装置溶解或吸附前驱物；当工艺气体的流量达到预设值且保持在该预设值不变时，再使工艺气体经进气管路进入反应腔室,以向反应腔室内通入流量稳定的工艺气体并进行工艺。从而，采用溶解或吸附的回收方式，可以回收多种前驱物，上述气体输送系统、半导体设备和气体输送方法可以在保证进行工艺时工艺气体流量稳定的前提下，将在工艺前浪费的前驱物进行回收，以避免前驱物的浪费，提高前驱物的利用率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及气体输送系统、半导体设备和气体输送方法。

背景技术

目前，由于在台阶覆盖率(Step Coverage)等方面更具优势，化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)和原子层沉积法(Atomic Layer Deposition,ALD)等成膜工艺越来越多地进入了半导体制造领域中。而CVD和ALD等成膜工艺需要使用前驱物参与反应。

如图1所示：源瓶102内盛放有前驱物，在进行成膜工艺之前，需要将携带有前驱物的工艺气体通入反应腔室101。因为工艺气体的流量需要从0逐步增加到目标流量，在此过程中，自源瓶102输出至真空管路201内的工艺气体流量并不稳定，需要关闭真空阀301并打开真空阀302，使工艺气体经真空管路202直接进入真空泵104。当通过流量计103检测到的工艺气体流量逐步增加到目标流量并保持在该目标流量不变之后，再打开真空阀301并关闭真空阀302，使流量稳定的工艺气体经真空管路201进入反应腔室101，进行成膜工艺。

可见，现有技术将成膜工艺之前，流量尚未稳定的工艺气体通过真空泵直接排走，这造成了前驱物的浪费，增加了源瓶更换频率。既缩短了设备维护周期，又增加了设备运营成本。因此，在保证进行成膜工艺时工艺气体流量稳定的前提下，如何避免前驱物的浪费，就成了本领域技术人员急需解决的技术问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种气体输送系统、半导体设备和气体输送方法，在保证进行半导体工艺时工艺气体流量稳定的前提下，避免前驱物的浪费。

为实现本发明的目的而提供一种气体输送系统，包括进气管路和源瓶，所述源瓶内盛放有前驱物，所述进气管路用于将自所述源瓶输出的包含所述前驱物的工艺气体输送至反应腔室中，且在所述进气管路上设置有第一通断阀，其特征在于：所述气体输送系统还包括第一回收管路和回收装置，其中，所述第一回收管路分别与所述进气管路和所述回收装置相连，用于将所述进气管路中的工艺气体输送至所述回收装置；所述第一回收管路上设置有第二通断阀；所述回收装置用于采用溶解或吸附的方式收集所述前驱物。

优选的，所述气体输送系统还包括第一排气管路和排气装置，其中，所述第一排气管路分别与所述回收装置和所述排气装置相连，用于将所述回收装置中未被收集的工艺气体输送至所述排气装置；所述第一排气管路上设有第三通断阀。

优选的，所述气体输送系统还包括第二回收管路和处理装置，其中，所述处理装置用于对所述回收装置收集的前驱物进行处理，以使所述回收装置输出所述前驱物；所述第二回收管路分别与所述回收装置和所述源瓶相连，用于将所述回收装置输出的前驱物输送至所述源瓶；所述第二回收管路上设有第四通断阀。

优选的，所述回收装置包括液体容器，所述液体容器内盛放有用于溶解所述前驱物的溶剂。