[发明专利]气体输送系统、半导体设备和气体输送方法有效
申请号: | 201910314612.0 | 申请日: | 2019-04-18 |
公开(公告)号: | CN111826637B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 王春;郑波;马振国;吴鑫;王晓娟;史晶 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 输送 系统 半导体设备 方法 | ||
1.一种气体输送系统,包括进气管路和源瓶,所述源瓶内盛放有前驱物,所述进气管路用于将自所述源瓶输出的包含所述前驱物的工艺气体输送至反应腔室中,且在所述进气管路上设置有第一通断阀,其特征在于:所述气体输送系统还包括第一回收管路和回收装置,其中,
所述第一回收管路分别与所述进气管路和所述回收装置相连,用于将所述进气管路中的工艺气体输送至所述回收装置;
所述第一回收管路上设置有第二通断阀;
所述回收装置用于采用溶解或吸附的方式收集所述前驱物;
所述气体输送系统还包括第二回收管路和处理装置,其中,
所述处理装置用于对所述回收装置收集的前驱物进行处理,以使所述回收装置输出所述前驱物;
所述第二回收管路分别与所述回收装置和所述源瓶相连,用于将所述回收装置输出的前驱物输送至所述源瓶;所述第二回收管路上设有第四通断阀。
2.根据权利要求1所述的气体输送系统,其特征在于:所述气体输送系统还包括第一排气管路和排气装置,其中,
所述第一排气管路分别与所述回收装置和所述排气装置相连,用于将所述回收装置中未被收集的工艺气体输送至所述排气装置;
所述第一排气管路上设有第三通断阀。
3.根据权利要求1所述的气体输送系统,其特征在于:所述回收装置包括液体容器,所述液体容器内盛放有用于溶解所述前驱物的溶剂。
4.根据权利要求3所述的气体输送系统,其特征在于:所述处理装置包括加热器、干燥器、浓度检测器和第五通断阀,其中,
所述加热器用于对所述回收装置进行加热,以使所述溶剂挥发形成包含所述前驱物的蒸汽;
所述干燥器、浓度检测器和第五通断阀沿气体流向依次设置在所述第二回收管路上,且位于所述第四通断阀的下游;
所述干燥器用于对所述第二回收管路中的所述蒸汽进行干燥,以形成气态前驱物;
所述浓度检测器用于检测所述第二回收管路中的所述气态前驱物的浓度。
5.根据权利要求1所述的气体输送系统,其特征在于:所述回收装置包括固体容器,所述固体容器内盛放有用于吸附所述前驱物的吸附剂。
6.根据权利要求2所述的气体输送系统,其特征在于:所述气体输送系统还包括第二排气管路,所述第二排气管路的进气端与所述第一回收管路的进气端相连,且位于所述第二通断阀的上游;所述第二排气管路的出气端与所述排气装置相连,且所述第二排气管路上设有第六通断阀。
7.一种半导体设备,包括反应腔室和用于向所述反应腔室内输送工艺气体的气体输送系统,其特征在于,所述气体输送系统如权利要求1-6任一项所述。
8.一种气体输送方法,其特征在于:所述气体输送方法采用如权利要求1-6任一项所述的气体输送系统向反应腔室内输送工艺气体,所述气体输送方法包括以下步骤:
S1:向所述进气管路中输送包含所述前驱物的工艺气体,同时关闭所述第一通断阀,开启所述第二通断阀,使所述工艺气体经所述第一回收管路进入所述回收装置,所述回收装置采用溶解或吸附的方式收集所述前驱物;
S2:当所述进气管路中的所述工艺气体的流量达到预设值且保持在所述预设值不变时,关闭所述第二通断阀,开启所述第一通断阀,使所述工艺气体经所述进气管路进入所述反应腔室;
S3:关闭所述第一通断阀、所述第二通断阀,开启所述第四通断阀,利用所述第二回收管路,使所述回收装置输出的所述前驱物进入所述源瓶。
9.根据权利要求8所述的气体输送方法,其特征在于:所述气体输送系统还包括第一排气管路和排气装置,其中,所述第一排气管路分别与所述回收装置和所述排气装置相连,用于将所述回收装置中未被收集的工艺气体输送至所述排气装置;所述第一排气管路上设有第三通断阀;
所述气体输送方法还包括:
在进行所述步骤S1的同时,开启所述第三通断阀,使未被所述回收装置收集的所述工艺气体经所述第一排气管路进入所述排气装置。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的