[发明专利]一种消落带土质贫瘠区域植物种植结构及方法在审

专利信息
申请号: 201910314175.2 申请日: 2019-04-18
公开(公告)号: CN109964718A 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 杜春兰;李波;常贝;余晓雯 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: A01G17/00 分类号: A01G17/00
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人: 胡逸然
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 消落带 防渗层 植物种植 土质 可降解 种植坑 土层 植物根系生长 植物生长过程 保水保肥 灌木树种 生长状态 水分渗漏 土壤环境 植被修复 自然降解 空隙率 内表面 降解 耐水 柔软 种植 穿透 水土流失 生长 土壤
【说明书】:

发明公开了一种消落带土质贫瘠区域植物种植结构,包括设置在消落带区域的种植坑,种植坑内表面设有可降解的防渗层,防渗层上设有植土层,植土层中种植有耐水淹乔灌木树种。本发明还公开了实现上述消落带土质贫瘠区域植物种植结构的消落带土质贫瘠区域植物种植方法。本发明通过设置可降解的防渗层,在植物生长初期降低消落带土质贫瘠区枯水期的水分渗漏,起到良好的保水保肥作用,另外,在植物生长过程中防渗层逐渐降解变得柔软和具有一定的空隙率,使得植物根系生长一定时间后可以穿透防渗层继续生长,形成稳定的生长状态,防渗层最终能够自然降解,不会污染环境。本发明针对消落带区域严苛多变的土壤环境为植物的种植提供一个稳定的环境,实现消落带区域的植被修复进而解决水土流失带来的土壤贫瘠的问题。

技术领域

本发明涉及消落带土质贫瘠地区生态修复技术领域,尤其涉及一种消落带土质贫瘠区域植物种植结构及方法。

背景技术

大中型水库建成后,往往采取冬蓄夏泄的调度模式,因此水库四周会形成水位落差达数米甚至数十米的消落带。消落带又称为消落区,是水库特有的一种地理环境,是指由于水库水位的季节性涨落,从而出现的周期性淹没及露出水面的区域。消落带区域如果长期处于无植物覆盖的状态,会带来一系列的生态和环境问题,如坍塌、水土流失、水源污染、自然景观遭到破坏等。然而,消落带的淹没期可长达半年,通常为冬季淹没,由于消落带环境与自然的夏淹冬露环境的不同,这会使消落带的植物生态系统遭到很大程度的破环;根据调查,目前消落带自然生长的植被主要为狗牙根、香附子、苍耳等草本植物,群落结构单一,生物多样性较差。因此,消落带植被恢复对于水库生态环境治理尤为重要。

现有技术中,CN101581084公开了消落带自锁定消浪植生型生态护坡构件,利用四面自锁结构实现正方形砖体构件之间的连接,形成消落带自锁定消浪植生型生态护坡结构;CN102409637公开了一种消落带的生态修复方法,构建了一个消落带全覆盖混凝土绿化边坡;CN102888826公开了一种基于生态袋的消落带边坡生态治理方法,在护坡铺砌生态袋给植物营造了一个种植环境;CN10179093公开了一种水库消落带陡坡地区受损生态系统修复方法,坡顶种植马尾松,消落深度2m以内种植香根草,2-10m之间混植香根草与狗牙根,使水库消落带陡坡地区形成植被坡面恢复带。以上方法仅从结构技术上对边坡进行修复或从植物配置方向构建生态系统,并未针对消落带区域严苛多变的土壤环境为植物的种植提供一个稳定的环境,不能实现消落带区域的植被修复进而解决水土流失带来的土壤贫瘠的问题。

发明内容

综上所述,本发明实际需要解决的问题是,如何针对消落带区域严苛的土壤环境为耐淹乔木的种植提供一个稳定的环境,从而实现消落带区域植物群落结构修复,促进稳定的消落带植被系统。

为了解决上述技术问题,本发明采用了如下的技术方案:

一种消落带土质贫瘠区域植物种植结构,其特征在于,包括设置在消落带区域的种植坑,种植坑内表面设有可降解的防渗层,防渗层上设有植土层,植土层中种植有植物。

优选地,所述防渗层的厚度为0.1-10mm,由种植坑内表面喷覆的可降解树脂溶液凝固而成。

优选地,植土层上表面低于种植坑边缘5-15cm,植土层上设置有由有机材料制成的覆盖层,覆盖层上表面为中间区域向下凹陷的弧面,覆盖层上设置有覆土层。

优选地,所述覆盖层厚度为10-30mm,覆盖层由有机材料压实而成。

优选地,所述有机材料包括树皮、干草及木屑中的任意一种或多种。

优选地,植土层包括壤土、膨化蛭石及缓释型有机肥,壤土、膨化蛭石和缓释型有机肥配比为4:1:1。

一种消落带土质贫瘠区域植物种植方法,包括如下步骤:

S1、在消落带区域挖种植坑;

S2、在种植坑内表面设置可降解的防渗层;

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