[发明专利]一种消落带土质贫瘠区域植物种植结构及方法在审
| 申请号： | 201910314175.2 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN109964718A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 杜春兰;李波;常贝;余晓雯 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | A01G17/00 | 分类号： | A01G17/00 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 胡逸然 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 消落带 防渗层 植物种植 土质 可降解 种植坑 土层 植物根系生长 植物生长过程 保水保肥 灌木树种 生长状态 水分渗漏 土壤环境 植被修复 自然降解 空隙率 内表面 降解 耐水 柔软 种植 穿透 水土流失 生长 土壤 | ||
1.一种消落带土质贫瘠区域植物种植结构，其特征在于，包括设置在消落带区域的种植坑，种植坑内表面设有可降解的防渗层，防渗层上设有植土层，植土层中种植有植物。
2.如权利要求1所述的消落带土质贫瘠区域植物种植结构，其特征在于，所述防渗层的厚度为0.1-10mm，由种植坑内表面喷覆的可降解树脂溶液凝固而成。
3.如权利要求1所述的消落带土质贫瘠区域植物种植结构，其特征在于，植土层上表面低于种植坑边缘5-15cm，植土层上设置有由有机材料制成的覆盖层，覆盖层上表面为中间区域向下凹陷的弧面，覆盖层上设置有覆土层。
4.如权利要求3所述的消落带土质贫瘠区域植物种植结构，其特征在于，所述覆盖层厚度为10-30mm，覆盖层由有机材料压实而成。
5.如权利要求1所述的消落带土质贫瘠区域植物种植结构，其特征在于，所述有机材料包括树皮、干草及木屑中的任意一种或多种。
6.如权利要求1所述的消落带土质贫瘠区域植物种植结构，其特征在于，植土层包括壤土、膨化蛭石及缓释型有机肥，壤土、膨化蛭石和缓释型有机肥配比为4：1：1。
7.一种消落带土质贫瘠区域植物种植方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、在消落带区域挖种植坑；
S2、在种植坑内表面设置可降解的防渗层；
S3、在种植坑内填土形成植土层，并在植土层内种下植物，植物包括耐水淹灌木及耐水淹乔木，耐水淹灌木包括秋华柳、南川柳及小梾木，耐水淹乔木包括落羽杉、池杉、中山杉、竹柳。
8.如权利要求7所述的消落带土质贫瘠区域植物种植方法，其特征在于，步骤S2中：
在种植坑内表面喷覆可降解树脂溶液，形成厚度为0.1-10mm的防渗层。
9.如权利要求8所述的消落带土质贫瘠区域植物种植方法，其特征在于，还包括：
S4、植土层上表面低于种植坑边缘5-10cm，在植土层上设置由有机材料制成的覆盖层，覆盖层上表面为中间区域向下凹陷的弧面；
S5、在覆盖层上设置覆土层。
10.如权利要求9所述的消落带土质贫瘠区域植物种植方法，其特征在于，步骤S4中，在植土层的上表面覆盖有机材料并压实形成10-30mm厚的覆盖层。
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