[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基底；

电介质层，位于所述基底的一侧面上；

焊盘，位于所述电介质层远离所述基底的表面；

陷阱，形成于所述焊盘中，将所述焊盘划分为焊接焊盘和测试焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述陷阱为矩形或倒梯形，所述陷阱的宽度为1um～20um，所述陷阱的长度为30um～80um，所述陷阱的高度为100nm～6um。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述基底包括配线层，所述配线层包括焊接配线，所述焊接配线通过穿过所述电介质层的导电柱与所述焊接焊盘连接。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括保护层，位于所述电介质层远离所述基底的一侧，且暴露出所述焊盘。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层的材料为聚酰亚胺、正硅酸乙酯中的一种或多种组合。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述保护层和电介质层之间的钝化层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述陷阱的侧壁上形成有钝化层。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述陷阱的侧壁未覆盖有钝化层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘的材料为铜、铝、钨、钛、金、银中的一种或者上述材料的合金。

10.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成电介质层；

形成位于所述电介质层上的焊盘层；

通过刻蚀在所述焊盘层中形成陷阱，从而通过所述陷阱将所述焊盘层划分为焊接焊盘和测试焊盘。

11.根据权利要求10所述的半导体器件制造方法，其特征在于，通过刻蚀在所述焊盘层中形成陷阱包括：

在所述电介质层远离所述基底的表面形成一光刻胶层；

通过掩膜板进行曝光，将所述掩膜板的图案转移到所述光刻胶层；

显影，使得所述光刻胶层暴露出待开设所述陷阱的区域；

刻蚀，在所述待开设所述陷阱的区域形成所述陷阱；

去除所述光刻胶层。

12.根据权利要求10所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述通过刻蚀在所述焊盘层中形成陷阱包括：

通过对所述焊盘层进行刻蚀形成焊盘，以及位于所述焊盘中的陷阱。

13.根据权利要求12所述的半导体器件制造方法，其特征在于，还包括：

在所述焊盘和所述电介质层上形成钝化层；

在所述钝化层上沉积保护层；

对所述保护层进行曝光和显影以暴露所述焊盘上的钝化层；

通过刻蚀去除暴露的钝化层从而暴露所述焊盘。

14.根据权利要求13所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述钝化层为垫氧化硅层或垫氮化硅层，所述保护层的材料为聚酰亚胺、正硅酸乙酯中的一种或多种组合。

15.根据权利要求13所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述焊盘的材料为铜、铝、钨、钛、金、银中的一种或者上述材料的合金。