[发明专利]存储器管理方法、存储器控制电路单元及存储器存储装置在审

专利信息
申请号: 201910313385.X 申请日: 2019-04-18
公开(公告)号: CN111831210A 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 林炳全;陈玺宇;黄祥睿;谢秉谕;王子家;林昀佑 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 罗英;臧建明
地址: 中国台湾*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 管理 方法 控制电路 单元 存储 装置
【说明书】:

发明提供一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。此方法包括:记录每一该些实体抹除单元中每一上实体程序化单元的错误比特数目以及每一下实体程序化单元的错误比特数目;根据实体抹除单元中的第一实体抹除单元的上实体程序化单元以及下实体程序化单元的错误比特数目的分布,判断第一实体抹除单元是否为坏实体抹除单元;以及倘若判断第一实体抹除单元为坏实体抹除单元时,对第一实体抹除单元上的数据执行数据搬移操作。

技术领域

本发明涉及一种存储器管理方法,尤其涉及一种根据错误比特的分布判断可复写式非易失性存储器模块的质量的存储器管理方法及使用此方法的存储器控制电路单元及存储器存储装置。

背景技术

数字相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatilememory module)(例如,快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小,以及无机械结构等特性,所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。

一般来说,可以通过实体抹除单元中最大错误比特数目是否超过门槛值或者门槛电压的分布来判断可复写式非易失性存储器模块的劣化程度。然而,倘若某一实体抹除单元中仅其中一实体程序化单元错误比特数目最大,而其余实体程序化单元状况良好,便无法仅依据最大错误比特数目超过门槛值来直接判断此实体抹除单元是否已经劣化,而无法事先进行避免数据遗失的操作。

基此,要如何判断可复写式非易失性存储器模块的状态,来对应调整可复写式非易失性存储器模块的数据读写机制,是本领域人员研究的课题之一。

发明内容

本发明提供一种存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置,其能够判断实体抹除单元的状态,避免数据遗失。

本发明的一范例实施例提出一种存储器管理方法,用于可复写式非易失性存储器模块,其中可复写式非易失性存储器模块包括多个实体抹除单元,并且每一实体抹除单元包括多个实体程序化单元。此方法包括:记录每一实体抹除单元中每一上实体程序化单元的错误比特数目以及每一下实体程序化单元的错误比特数目;根据实体抹除单元中的第一实体抹除单元的上实体程序化单元的错误比特数目的分布以及下实体程序化单元的错误比特数目的分布,判断第一实体抹除单元是否为坏实体抹除单元;以及倘若判断第一实体抹除单元为坏实体抹除单元时,对第一实体抹除单元上的数据执行数据搬移操作。

在本发明的一范例实施例中,上述存储器管理方法还包括:分别计算每一实体抹除单元中上实体程序化单元的错误比特数目的平均值以及下实体程序化单元的错误比特数目的平均值;以及倘若第一实体抹除单元中上实体程序化单元的错误比特数目的平均值大于下实体程序化单元的错误比特数目的平均值时,判断第一实体抹除单元为坏实体抹除单元。

在本发明的一范例实施例中,上述存储器管理方法还包括:记录每一实体抹除单元中每一中实体程序化单元的错误比特数目;根据该些实体抹除单元中的第一实体抹除单元的上实体程序化单元的错误比特数目的分布、中实体程序化单元的错误比特数目的分布以及下实体程序化单元的错误比特数目的分布,判断第一实体抹除单元是否为坏实体抹除单元。

在本发明的一范例实施例中,上述存储器管理方法还包括:分别计算每一实体抹除单元中上实体程序化单元的错误比特数目的平均值、中实体程序化单元的错误比特数目的平均值以及下实体程序化单元的错误比特数目的平均值;倘若第一实体抹除单元中上实体程序化单元的错误比特数目的平均值大于中实体程序化单元的错误比特数目的平均值,并且中实体程序化单元的错误比特数目的平均值大于下实体程序化单元的错误比特数目的平均值时,判断第一实体抹除单元为坏实体抹除单元。

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