[发明专利]一种阵列基板制备方法及显示面板制备方法有效
| 申请号： | 201910312099.1 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110010550B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 赵天龙;谢中静;朱亚威;樊浩原 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：
切割母板，形成多个阵列分布的阵列基板；其中，
每个所述阵列基板包括沿列方向排布的显示区和非显示区，所述非显示区包括Pad区和设置于Pad区行方向上的剥离区；在每个阵列基板中，剥离区沿行方向延伸至显示区沿列方向延伸的侧边以外；
对所述显示区与所述非显示区的连接处进行半切，以使所述显示区与所述非显示区的连接处的薄膜呈分离状态；
利用Pin针刺入剥离区处的薄膜，推动薄膜，使薄膜隆起，使用夹具夹住薄膜隆起处，以将薄膜撕下；
将非显示区中Pad区以外的区域切除；
所述多个阵列分布的阵列基板中，每一行所述阵列基板中各所述阵列基板的剥离区的延伸方向相同；
且沿剥离区的延伸方向每相邻的两个阵列基板中，前一个阵列基板的剥离区延伸至后一个阵列基板的显示区沿列方向延伸的两个侧边的延长线之间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在每个阵列基板中，剥离区在列方向上的尺寸与Pad区在列方向上的尺寸相同。
3.根据权利要求2所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在每个阵列基板中，剥离区远离对应的Pad区的一侧边沿列方向延伸。
4.根据权利要求2所述的阵列基板制备方法，其特征在于，沿剥离区的延伸方向每相邻的两个阵列基板中，前一个阵列基板的剥离区中与Pad区相对的侧边沿后一个阵列基板的Pad区的对应侧边延伸。
5.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在每个阵列基板中，剥离区在列方向上的尺寸小于Pad区在列方向上的尺寸；
且剥离区的底边与Pad区的底边平齐。
6.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，一行阵列基板包括多对阵列基板；
每一对阵列基板中，每个阵列基板的剥离区延伸至另一个阵列基板的显示区沿列方向延伸的两个侧边的延长线之间。
7.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述推动薄膜，具体包括：
先向远离显示区的方向推动薄膜，再向靠近Pad区的方向推动薄膜。
8.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，当薄膜隆起时，用抵压件抵住剥离区暴露部分，再继续推动剥离针。
9.一种显示面板制备方法，其特征在于，包括：
利用权利要求1-8任一项提供的阵列基板制备方法获得阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
