[发明专利]半导体基板结构及其制作方法

说明书

本揭示提供了半导体基板结构及其制作方法。所述半导体基板结构包括基板、金属氧化物薄膜晶体管以及隧穿二极管。所述金属氧化物薄膜晶体管设置在所述基板上。所述隧穿二极管设置在所述基板上和所述金属氧化物薄膜晶体管旁。本揭示的半导体基板结构具有光学侦测性能。

【技术领域】

本揭示涉及显示技术领域，特别涉及一种半导体基板结构及其制作方法。

【背景技术】

现有显示器(例如手机和电视)的半导体基板结构不具有感应器。感应器独立设置在所述半导体基板结构以外的位置，因而无法在所述半导体基板结构上定点感应，因此造成手机指纹识别及/或环境光监测和电视的遥控的性能不佳。

故，有需要提供一种半导体基板结构及其制作方法，以解决现有技术存在的问题。

【发明内容】

为解决上述技术问题，本揭示的一目的在于提供半导体基板结构及其制作方法，所述半导体基板结构具有光学侦测性能。

为达成上述目的，本揭示提供一半导体基板结构。所述半导体基板结构包括基板、金属氧化物薄膜晶体管以及隧穿二极管。所述金属氧化物薄膜晶体管设置在所述基板上。所述隧穿二极管设置在所述基板上和所述金属氧化物薄膜晶体管旁。

于本揭示其中的一实施例中，所述金属氧化物薄膜晶体管的栅极和所述隧穿二极管的阳极设置在所述基板上的相同层上。

于本揭示其中的一实施例中，所述金属氧化物薄膜晶体管的栅极和所述隧穿二极管的阳极的材料相同，且所述金属氧化物薄膜晶体管的所述栅极和所述隧穿二极管的所述阳极均为钼/铜叠层或钼/铝叠层。

于本揭示其中的一实施例中，所述的半导体基板结构还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述基板、所述金属氧化物薄膜晶体管的所述栅极和所述隧穿二极管的所述阳极上。

于本揭示其中的一实施例中，所述栅极绝缘层为SiOx层、SiOx/SiNx叠层、SiNx/SiOx叠层、SiOx、SiNx与SiNO相互叠层、SiOx、SiNx与Al2O3叠层或AlN层。

于本揭示其中的一实施例中，所述金属氧化物薄膜晶体管还包括层迭的有源层沟道、第一阻挡层和源漏电极，所述隧穿二极管还包括层迭的半导体层、第二阻挡层和阴极，所述栅极绝缘层包括开口，所述隧穿二极管的所述半导体层和所述第二阻挡层设置于所述栅极绝缘层的所述开口内。

于本揭示其中的一实施例中，所述半导体基板结构还包括层迭的钝化层和像素电极层，所述钝化层设置于所述源漏电极和所述阴极上，所述钝化层包括开孔，所述像素电极层通过所述钝化层的所述开孔接触所述源漏电极。

本揭示还提供一半导体基板结构的制作方法。所述半导体基板结构的制作方法包括提供基板，在所述基板上形成金属氧化物薄膜晶体管，以及在所述基板上和所述金属氧化物薄膜晶体管旁形成隧穿二极管。

于本揭示其中的一实施例中，在所述基板上的相同层上形成所述金属氧化物薄膜晶体管的栅极和所述隧穿二极管的阳极。

于本揭示其中的一实施例中，在所述基板、所述金属氧化物薄膜晶体管的所述栅极和所述隧穿二极管的所述阳极上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成层迭的所述金属氧化物薄膜晶体管的有源层沟道、第一阻挡层和源漏电极，在所述栅极绝缘层上形成层迭的所述隧穿二极管的半导体层、第二阻挡层和阴极，所述栅极绝缘层包括开口，所述隧穿二极管的所述半导体层和所述第二阻挡层设置于所述栅极绝缘层的所述开口内。

由于本揭示的实施例中的半导体基板结构及其制作方法中，所述半导体基板结构包括基板、金属氧化物薄膜晶体管以及隧穿二极管。所述金属氧化物薄膜晶体管设置在所述基板上。所述隧穿二极管设置在所述基板上和所述金属氧化物薄膜晶体管旁，因此所述半导体基板结构具有光学侦测性能。

为让本揭示的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：