[发明专利]半导体基板结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体基板结构，其特征在于，包括:

基板；

金属氧化物薄膜晶体管，设置在所述基板上；以及

隧穿二极管，设置在所述基板上和所述金属氧化物薄膜晶体管旁，所述金属氧化物薄膜晶体管连接所述隧穿二极管，所述金属氧化物薄膜晶体管和所述隧穿二极管形成逻辑电路，所述金属氧化物薄膜晶体管的一端用于接收器件的电源端V_DD，所述隧穿二极管的一端用于接收低电位Vss，所述金属氧化物薄膜晶体管的栅极用于接收输入电位Vi，所述金属氧化物薄膜晶体管和所述隧穿二极管互相连接的一端用于输出电位V_o，所述金属氧化物薄膜晶体管的所述栅极和所述隧穿二极管的阳极设置在所述基板上的相同层上，其中，所述隧穿二极管的另一端与所述金属氧化物薄膜晶体管的除了栅极和所述金属氧化物薄膜晶体管的所述一端以外的另一端连接。

2.如权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述金属氧化物薄膜晶体管的所述栅极和所述隧穿二极管的所述阳极的材料相同，且所述金属氧化物薄膜晶体管的所述栅极和所述隧穿二极管的所述阳极均为钼/铜叠层或钼/铝叠层。

3.如权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述基板、所述金属氧化物薄膜晶体管的所述栅极和所述隧穿二极管的所述阳极上。

4.如权利要求3所述的半导体基板结构，其特征在于，所述栅极绝缘层为SiOx层、SiOx/SiNx叠层、SiNx/SiOx叠层、SiOx、SiNx与SiNO相互叠层、SiOx、SiNx与Al2O3叠层或AlN层。

5.如权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述金属氧化物薄膜晶体管还包括层迭的有源层沟道、第一阻挡层和源漏电极，所述隧穿二极管还包括层迭的半导体层、第二阻挡层和阴极，所述栅极绝缘层包括开口，所述隧穿二极管的所述半导体层和所述第二阻挡层设置于所述栅极绝缘层的所述开口内。

6.如权利要求5所述的半导体基板结构，其特征在于，所述半导体基板结构还包括层迭的钝化层和像素电极层，所述钝化层设置于所述源漏电极和所述阴极上，所述钝化层包括开孔，所述像素电极层通过所述钝化层的所述开孔接触所述源漏电极。

7.一种半导体基板结构的制作方法，其特征在于，包括:

提供基板；

在所述基板上形成金属氧化物薄膜晶体管；以及

在所述基板上和所述金属氧化物薄膜晶体管旁形成隧穿二极管，所述金属氧化物薄膜晶体管连接所述隧穿二极管，所述金属氧化物薄膜晶体管和所述隧穿二极管形成逻辑电路，所述金属氧化物薄膜晶体管的一端用于接收器件的电源端V_DD，所述隧穿二极管的一端用于接收低电位Vss，所述金属氧化物薄膜晶体管的栅极用于接收输入电位Vi，所述金属氧化物薄膜晶体管和所述隧穿二极管互相连接的一端用于输出电位V_o，所述金属氧化物薄膜晶体管的所述栅极和所述隧穿二极管的阳极设置在所述基板上的相同层上，其中，所述隧穿二极管的另一端与所述金属氧化物薄膜晶体管的除了栅极和所述金属氧化物薄膜晶体管的所述一端以外的另一端连接。

8.如权利要求7所述的半导体基板结构的制作方法，其特征在于，在所述基板、所述金属氧化物薄膜晶体管的所述栅极和所述隧穿二极管的所述阳极上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成层迭的所述金属氧化物薄膜晶体管的有源层沟道、第一阻挡层和源漏电极，在所述栅极绝缘层上形成层迭的所述隧穿二极管的半导体层、第二阻挡层和阴极，所述栅极绝缘层包括开口，所述隧穿二极管的所述半导体层和所述第二阻挡层设置于所述栅极绝缘层的所述开口内。