[发明专利]一种片层堆叠的花球结构的二硒化钼超级电容器电极材料制备方法有效
| 申请号： | 201910306873.8 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110136969B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 张磊;殷少坤;李超;唐宁;王威;米南阳;贾焜;闫宁 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 结构 二硒化钼 超级 电容器 电极 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种片层堆叠的花球结构的二硒化钼超级电容器电极材料制备方法，其特征是包括步骤如下：
(1)室温下，量取过氧化氢加入到钼粉中，钼粉完全溶解；
(2)室温下，量取水合肼加入到硒粉中，磁力搅拌，硒粉完全溶解；
(3)室温下，量取N,N-二甲基甲酰胺加入到步骤(1)中得到的溶液中,量取N,N-二甲基甲酰胺和步骤(2)中水合肼体积比为3～5:1，混合磁力搅拌,形成均匀溶剂；
(4)室温下，将步骤(3)得到的均匀溶液转移至反应釜中继续搅拌，在搅拌条件下，将步骤(2)得到的溶液加入到以上反应釜中，混合磁力搅拌；
(5)将步骤(4)中的反应釜置于烘箱中160～200℃反应，然后冷却至室温得到反应产物；将所得的反应产物抽滤、乙醇洗涤，之后干燥得到MoSe2；
(6)将步骤(5)中的片层堆叠的花球结构的MoSe2用擀片法制作成电极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征是步骤(1)和步骤(2)加入的过氧化氢和水合肼体积比为1:10～15。
3.如权利要求1所述的方法，其特征是步骤(1)和步骤(2)加入的称取的钼粉和硒粉的摩尔比为1:2～2.2。
4.如权利要求1所述的方法，其特征是步骤(2)中磁力搅拌时间为不少于3小时。
5.如权利要求1所述的方法，其特征是步骤(5)反应釜在烘箱中反应6～10小时。
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