[发明专利]一种微型LED的转移方法

说明书

本发明提出一种微型LED的转移方法，属于发光显示的技术领域，先形成半刻的LED结构，经过一次转移进行翻转，对去除缓冲层，形成分离的LED阵列，再在LED上形成金属层，此时金属层在LED侧壁处发生断裂，再经过二次粘合，利用转移吸头对LED进行吸取，放置于接收基板对应的金属电极上，经过键合后完成微型LED的转移。本发明改善了激光剥离应力释放导致的膜破问题，并避免了厚的金属层在转移时需要较大吸力进行拉扯的问题。

技术领域

本发明属于发光显示的技术领域，具体涉及一种微型LED的转移方法。

背景技术

在常见的微型LED在制作过程中，通过ICP干法刻蚀后，形成分离的LED阵列，之后再通过静电的方式进行吸取转移。由于常规做法是利用吸头吸取LED，但是在底部存在胶厚的金属层，底部金属需要通过较大吸力扯断后再进行转移。因此，需要对底部金属进行拉扯断裂，需要采用较大的静电吸力才能吸取底部金属，或者即使采用较大的静电吸力也较难吸取成功。

因此，现有常规技术的缺点是，需要较厚的金属作为激光剥离应力释放的缓冲层，同时，在转移时需要采用吸力将金属层拉扯断。

发明内容

本发明提供一种微型LED转移方法，在转移时不需要提供额外拉扯金属的力，提升转移成功率。

本发明提供的技术方案如下：

一种微型LED的转移方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在衬底上形成外延结构，半刻所述外延结构，在所述衬底上形成LED结构；

S2、将所述LED结构转移至第一暂态基板，并剥离所述衬底；

S3、刻蚀所述LED结构，形成多个分离的LED，并在所述LED上形成第一金属层；

S4、将所述LED转移至第二暂态基板，并剥离所述第一暂态基板；

S5、转移所述LED至接收基板，完成微型LED的转移。

优选地，所述步骤S1进一步包括：

S11、在衬底上形成具有多层结构的外延结构，所述外延结构包括外延层和形成在所述外延层上的欧姆接触层，所述外延层包括位于底层的缓冲层；

S12、在所述外延结构上形成图形化的光阻层；

S13、刻蚀所述外延结构，采用半刻工艺，保留所述缓冲层，在所述衬底上形成LED结构。

优选地，所述步骤S2进一步包括：

S21、使用第一粘附层将所述LED结构与第一暂态基板粘附，所述欧姆接触层与第一粘附层接触；

S22、解离所述衬底与LED结构；

S23、完成所述LED结构至第一暂态基板的转移。

优选地，所述步骤S3进一步包括：

S31、刻蚀所述LED结构，去除所述缓冲层，形成多个分离的LED；

S32、在所述LED上覆盖一层金属层，所述金属层包括位于每个所述LED上的第一金属层和位于第一暂态基板上的断裂金属层，所述断裂金属层与第一粘附层接触，且所述断裂金属层与第一金属层互不连接。

优选地，所述步骤S4进一步包括：

S41、使用第二粘附层将所述LED与第二暂态基板粘附，所述第一金属层与第二粘附层接触；

S42、解粘所述第一粘附层，分离所述第一粘附层与欧姆接触层，剥离第一暂态基板以及位于第一暂态基板上的断裂金属层；

S43、完成所述LED至第二暂态基板的转移。