[发明专利]一种微型LED的转移方法

权利要求书

1.一种微型LED的转移方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在衬底上形成多层结构的外延结构，半刻所述外延结构后，在所述衬底上形成阵列设置的LED结构，所述外延结构包括外延层和形成在所述外延层上的欧姆接触层，所述外延层包括位于底层的缓冲层；

S2、使用第一粘附层将所述LED结构与第一暂态基板粘附，所述LED结构转移至第一暂态基板，并剥离所述衬底；

S3、刻蚀所述LED结构，形成多个分离的LED，并在所述LED上形成第一金属层以及形成位于第一暂态基板上的断裂金属层，所述断裂金属层与第一金属层互不连接；

S4、所述LED转移至第二暂态基板，并剥离所述第一暂态基板；

S5、转移所述LED至接收基板，完成微型LED的转移；其中

所述步骤S3进一步包括：

S31、刻蚀所述LED结构，去除所述缓冲层，形成多个分离的LED；

S32、在所述LED上覆盖一层金属层，所述金属层包括所述第一金属层和所述断裂金属层，所述断裂金属层与第一粘附层接触；

所述步骤S4进一步包括：

S41、使用第二粘附层将所述LED与第二暂态基板粘附，所述第一金属层与第二粘附层接触；

S42、解粘所述第一粘附层，分离所述第一粘附层与欧姆接触层，剥离第一暂态基板以及位于第一暂态基板上的断裂金属层；

S43、完成所述LED至第二暂态基板的转移；

所述步骤S5进一步包括：

S51、解粘所述第二粘附层；

S52、吸取所述LED，分离所述第二粘附层与第一金属层；

S53、转移所述LED至接收基板，所述接收基板上设置有第二金属层，所述第二金属层与第一金属层为可进行金属键合的相对应金属；

S54、键合所述第一金属层和第二金属层，完成微型LED的转移。

2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述步骤S1进一步包括：

S11、在衬底上形成具有多层结构的外延结构；

S12、在所述外延结构上形成图形化的光阻层；

S13、刻蚀所述外延结构，采用半刻工艺，保留所述缓冲层，在所述衬底上形成LED结构。

3.根据权利要求2所述的转移方法，其特征在于，所述步骤S2进一步包括：

S21、所述欧姆接触层与第一粘附层接触；

S22、解离所述衬底与LED结构；

S23、完成所述LED结构至第一暂态基板的转移。

4.根据权利要求2所述的转移方法，其特征在于，所述外延层包括位于底层的缓冲层以及位于缓冲层上的N型半导体层、主动层和P型半导体层。

5.根据权利要求4所述的转移方法，其特征在于，在步骤S13中，刻蚀所述外延结构时，刻蚀完N型半导体层，不刻蚀或部分刻蚀缓冲层。

6.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述第一粘附层和第二粘附层采用不同的粘合剂材料，或者第一粘附层和第二粘附层采用不同的解粘方式。

7.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述第二金属层和第一金属层均为多层金属结构，所述第二金属层的表层金属与第一金属层的表层金属为可进行金属键合的相对应金属。