[发明专利]一种控制电路、电压源电路、驱动装置和驱动方法有效
申请号: | 201910304610.3 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN110071620B | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 陈东;石磊;王朝辉 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 王仲凯 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 控制电路 电压 电路 驱动 装置 方法 | ||
本申请实施例公开了一种控制电路,包括:检测模块,用于检测半导体开关器件的工作条件;确定模块,用于根据工作条件确定半导体开关器件的门极允许电压;输出模块,用于根据门极允许电压向半导体开关器件的驱动供电电路输出控制信号,以控制驱动供电电路为半导体开关器件提供的门极导通电压不高于门极允许电压,并且与门极允许电压正相关。当半导体开关器件的工作条件变优时,半导体开关器件的门极允许电压升高,此时控制电路可以控制驱动供电电路为半导体开关器件提供不高于门极允许电压且增大的门极导通电压,有利于在保证半导体开关器件的可靠性的前提下,缩短其在全开模式和全闭模式之间进行切换的模式切换时长,进而降低开关电源的损耗。
技术领域
本申请涉及电子技术领域,尤其涉及一种控制电路、电压源电路、驱动装置和驱动方法。
背景技术
开关电源,利用半导体开关器件在控制电路的控制下在全开模式和全闭模式之间切换,来对输入电压进行脉冲调制,从而实现交流到直流、或直流到直流、或直流到交流、或交流到交流的电压转换。因此被广泛应用于显示、照明、通讯、制冷等领域。
当半导体开关器件的门极驱动电压为高于半导体开关器件阈值电压的门极导通电压Von时,半导体开关器件处于全开模式;当门极驱动电压为低于半导体开关器件阈值电压的门极关断电压Voff时,半导体开关器件处于全闭模式。半导体开关器件的门极驱动电压由Voff切换为Von,并由Von再次切换为Voff时,半导体开关器件由全闭模式切换为全开模式,并由全开模式再次切换为全闭模式,这两种切换各自需要经历一定的模式切换时长。对于传统的硬开关电路,半导体开关器件在进行模式切换的过程中存在一定的损耗,从而限制了开关电源的工作频率;为了降低开关电源的损耗,需要缩短半导体开关器件的模式切换时长。
半导体开关器件的模式切换时长一般与半导体开关器件的门极导通电压和门极关断电压之间的差值有关,二者之间的差值越大,切换时长越短,反之,切换时长越长。对于半导体开关器件的门极关断电压为恒定值的开关电源,为了缩短模式切换时长,应提高门极导通电压。现有技术中,半导体开关器件的驱动电路提供的门极导通电压同样为恒定值,由于半导体开关器件的工作条件,比如工作温度,会发生变化,因此驱动电路一般会提供较低的门极导通电压,以保证半导体开关器件即使工作在极端条件(指最容易发生击穿的工作条件)下也不会发生击穿。
但是,半导体开关器件一般更多的工作在非极端条件下,此时,依据极端条件设置的门极导通电压较低,不利于缩短半导体开关器件的模式切换时长,因此不利于降低开关电源的损耗。
发明内容
本申请实施例提供了一种控制电路、电压源电路、驱动装置和驱动方法,用于解决门极导通电压过低而引起的开关电源损耗较大的问题。
本申请实施例第一方面提供一种控制电路,包括:检测模块,用于检测所述半导体开关器件当前的工作条件;确定模块,用于根据所述检测模块检测到的工作条件确定所述半导体开关器件的门极允许电压;输出模块,用于根据所述确定模块确定的所述门极允许电压向所述半导体开关器件的驱动供电电路输出控制信号,以控制所述驱动供电电路为所述半导体开关器件提供的门极导通电压不高于所述门极允许电压,并且与所述门极允许电压正相关。
结合本申请实施例第一方面,在本申请实施例第一方面的第一种可能的实现方式中,所述确定模块包括第一门极允许电压确定子模块,用于根据所述检测模块检测到的工作条件确定所述门极允许电压的第一值,所述第一值不高于所述半导体开关器件的门极击穿电压。
结合本申请实施例第一方面的第一种可能的实现方式,在本申请第一方面的第二种可能的实现方式中,所述第一门极允许电压确定子模块包括门极击穿电压确定单元,用于根据所述检测模块检测到的工作条件确定所述半导体开关器件的门极击穿电压;第一门极允许电压确定单元,用于根据所述门极击穿电压确定单元确定的门极击穿电压和预设的第一裕量确定所述第一值。
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